Surface Tension Measurement of molten silicon by the oscillating drop method using electromagnetic levitation.

Przyborowski, M. und Hibiya, T. und Eguchi, M. und Egry, I. (1995) Surface Tension Measurement of molten silicon by the oscillating drop method using electromagnetic levitation. Journal of Crystal Growth 151 (1995), Seiten 60-65.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=1995,

Titel:

Surface Tension Measurement of molten silicon by the oscillating drop method using electromagnetic levitation.

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Przyborowski, M.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hibiya, T.	Fundamental Research Laboratories, Japan	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Eguchi, M.	Fundamental Research Laboratories, Japan	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Egry, I.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

1995

Erschienen in:

Journal of Crystal Growth 151 (1995)

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Seitenbereich:

Seiten 60-65

Status:

veröffentlicht

HGF - Forschungsbereich:

NICHT SPEZIFIZIERT

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EO - Erdbeobachtung

DLR - Schwerpunkt:

NICHT SPEZIFIZIERT

DLR - Forschungsgebiet:

W EO - Erdbeobachtung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

NICHT SPEZIFIZIERT

Standort:

Köln-Porz

Institute & Einrichtungen:

Institut für Materialphysik im Weltraum > Institut für Raumsimulation

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

02 Apr 2006

Letzte Änderung:

27 Apr 2009 11:33

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