Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon

Kovalevsky, K.A. und Abrosimov, N.V. und Zhukavin, R.Kh. und Pavlov, S.G. und Hübers, Heinz-Wilhelm und Tsyplenkov, V.V. und Shastin, V.N. (2015) Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon. Quantum Electronics, 45 (2), Seiten 113-120. Turpion - Moscow Ltd.. doi: 10.1070/QE2015v045n02ABEH015532. ISSN 1063-7818.

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Kurzfassung

This paper presents a brief overview of available experimental data on the characteristics of stimulated terahertz emission (4.9 – 6.4 THz) from optically excited neutral group V donors (phosphorus, antimony, arsenic and bismuth) in crystalline silicon subjected to uniaxial compressive strain along the [100] axis. Strain is shown to have a significant effect on the characteristics in question. Optimal strain depends on the dopant and may reduce the threshold pump intensity and improve lasing efficiency. We discuss possible mechanisms behind this effect and estimate the limiting output emission parameters.

elib-URL des Eintrags:

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Kovalevsky, K.A.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.V.	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S.G.	sergeij.pavlov (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	Heinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V.V.	Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2015

Erschienen in:

Quantum Electronics

Referierte Publikation:

Open Access:

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

In ISI Web of Science:

Band:

DOI:

10.1070/QE2015v045n02ABEH015532

Seitenbereich:

Seiten 113-120

Verlag:

Turpion - Moscow Ltd.

ISSN:

1063-7818

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

silicon lasers, terahertz

HGF - Forschungsbereich:

Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

HGF - Programm:

Verkehr

HGF - Programmthema:

Verkehrsmanagement (alt)

DLR - Schwerpunkt:

Verkehr

DLR - Forschungsgebiet:

V VM - Verkehrsmanagement

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

V - Optimode (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Optische Sensorsysteme

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

09 Mär 2015 09:16

Letzte Änderung:

06 Sep 2019 15:15

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