Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures

Zhukavin, R.Kh. und Kovalevsky, K.A. und Orlov, M.L. und Tsyplenkov, V.V. und Bekin, N.A. und Yablonsky, A.N. und Yunin, P.A. und Pavlov, S.G. und Abrosimov, N.V. und Hübers, Heinz-Wilhelm und Radamson, H.H. und Shastin, V.N. (2015) Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures. Semiconductors, 49 (1), Seiten 13-18. Springer. doi: 10.1134/S1063782615010273. ISSN 1063-7826.

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Kurzfassung

The results of measurements of the total terahertz�range photoluminescence of Group� V donors (phosphorus, antimony, bismuth, arsenic) in bulk silicon and SiGe/Si heterostructures depending on the excitation intensity are presented. The signal of bulk silicon was also measured as a function of uniaxial stress. The results of measurement of the dependence of the spontaneous emission intensity on the uniaxial stress is in rather good agreement with theoretical calculations of the relaxation times of excited states of donors in bulk silicon. Comparative measurements of the spontaneous emission from various strained heterostructures showed that the photoluminescence signal is caused by donor� doped silicon regions.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Zhukavin, R.Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kovalevsky, K.A.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Orlov, M.L.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V.V.	Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Bekin, N.A.	Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Yablonsky, A.N.	Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Yunin, P.A.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S.G.	sergeij.pavlov (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.V.	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	Heinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Radamson, H.H.	Royal Institute of Technology, Kista, Sweden	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2015

Erschienen in:

Semiconductors

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

In ISI Web of Science:

Band:

DOI:

10.1134/S1063782615010273

Seitenbereich:

Seiten 13-18

Verlag:

Springer

ISSN:

1063-7826

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

terahertz emission, SiGe heterostructures

HGF - Forschungsbereich:

Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

HGF - Programm:

Verkehr

HGF - Programmthema:

Verkehrsmanagement (alt)

DLR - Schwerpunkt:

Verkehr

DLR - Forschungsgebiet:

V VM - Verkehrsmanagement

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

V - Optimode (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Optische Sensorsysteme

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

09 Mär 2015 09:16

Letzte Änderung:

01 Dez 2018 19:51

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