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Interplay of inversion-less and inversion-based terahertz stimulated intracenter emission in isotopically enriched silicon doped by bismuth

Pavlov, S.G. und Abrosimov, Nickolay und Deßmann, N. und Böttger, Ute und Redlich, B. und Meer, A.F.G. va der und Zhukavin, R.Kh. und Shastin, V.N. und Irmscher, K. und Riemann, H. und Hübers, Heinz-Wilhelm (2014) Interplay of inversion-less and inversion-based terahertz stimulated intracenter emission in isotopically enriched silicon doped by bismuth. In: Abstracts of the "Silicon-2014" Conference, Seite 65. Silicon - 2014, 07.-12. Jul. 2014, Irkutsk, Russland. ISBN 978 5 94797 231 3.

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Kurzfassung

Two types of terahertz-range stimulated emission involving intracenter transitions of bismuth atoms in isotopically enriched silicon has been realized under optical excitation by mid-infrared free electron laser (FELIX Facility, Radboud, the Netherlands) at cryogenic temperatures, ~ 5K. In comparison with the similar stimulated emission observed for natural silicon crystals, strong interplay between Raman laser emission and inverted intracenter lasing has been observed. This competition is caused by interaction of particular donor levels those populations play a critical role in forming inverted electron distributions required for intracenter laser action versus dominant population of the ground impurity state (inversion-less), what is required for Raman Stokes lasing.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/93210/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Interplay of inversion-less and inversion-based terahertz stimulated intracenter emission in isotopically enriched silicon doped by bismuth
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pavlov, S.G.sergeij.pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, NickolayLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Deßmann, N.nils.dessmann (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, UteUte.Boettger (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.FELIX Facility, Radboud University, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Meer, A.F.G. va derFELIX Facility, Radboud University, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Irmscher, K.Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Leibniz-Institute of Crystal Growth, BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2014
Erschienen in:Abstracts of the "Silicon-2014" Conference
Referierte Publikation:Nein
Open Access:Ja
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seite 65
ISBN:978 5 94797 231 3
Status:veröffentlicht
Stichwörter:THz, stimulated emission, silicon
Veranstaltungstitel:Silicon - 2014
Veranstaltungsort:Irkutsk, Russland
Veranstaltungsart:nationale Konferenz
Veranstaltungsdatum:07.-12. Jul. 2014
Veranstalter :Geochemical Institute of the SB RAS
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Verkehr
HGF - Programmthema:Verkehrsmanagement (alt)
DLR - Schwerpunkt:Verkehr
DLR - Forschungsgebiet:V VM - Verkehrsmanagement
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):V - Optimode (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Experimentelle Planetenphysik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:15 Dez 2014 09:23
Letzte Änderung:31 Jul 2019 19:50

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