Interplay of inversion-less and inversion-based terahertz stimulated intracenter emission in isotopically enriched silicon doped by bismuth

Pavlov, S.G. und Abrosimov, Nickolay und Deßmann, N. und Böttger, Ute und Redlich, B. und Meer, A.F.G. va der und Zhukavin, R.Kh. und Shastin, V.N. und Irmscher, K. und Riemann, H. und Hübers, Heinz-Wilhelm (2014) Interplay of inversion-less and inversion-based terahertz stimulated intracenter emission in isotopically enriched silicon doped by bismuth. In: Abstracts of the "Silicon-2014" Conference, Seite 65. Silicon - 2014, 2014-07-07 - 2014-07-12, Irkutsk, Russland. ISBN 978 5 94797 231 3.

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Kurzfassung

Two types of terahertz-range stimulated emission involving intracenter transitions of bismuth atoms in isotopically enriched silicon has been realized under optical excitation by mid-infrared free electron laser (FELIX Facility, Radboud, the Netherlands) at cryogenic temperatures, ~ 5K. In comparison with the similar stimulated emission observed for natural silicon crystals, strong interplay between Raman laser emission and inverted intracenter lasing has been observed. This competition is caused by interaction of particular donor levels those populations play a critical role in forming inverted electron distributions required for intracenter laser action versus dominant population of the ground impurity state (inversion-less), what is required for Raman Stokes lasing.

elib-URL des Eintrags:

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Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Vortrag)

Titel:

Interplay of inversion-less and inversion-based terahertz stimulated intracenter emission in isotopically enriched silicon doped by bismuth

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, S.G.	sergeij.pavlov (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, Nickolay	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Deßmann, N.	nils.dessmann (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, Ute	Ute.Boettger (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.	FELIX Facility, Radboud University, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Meer, A.F.G. va der	FELIX Facility, Radboud University, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Irmscher, K.	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.	Leibniz-Institute of Crystal Growth, Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	Heinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2014

Erschienen in:

Abstracts of the "Silicon-2014" Conference

Referierte Publikation:

Nein

Open Access:

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Seitenbereich:

Seite 65

ISBN:

978 5 94797 231 3

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

THz, stimulated emission, silicon

Veranstaltungstitel:

Silicon - 2014

Veranstaltungsort:

Irkutsk, Russland

Veranstaltungsart:

nationale Konferenz

Veranstaltungsbeginn:

7 Juli 2014

Veranstaltungsende:

12 Juli 2014

Veranstalter :

Geochemical Institute of the SB RAS

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Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

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Verkehr

HGF - Programmthema:

Verkehrsmanagement (alt)

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V VM - Verkehrsmanagement

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

V - Optimode (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Experimentelle Planetenphysik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

15 Dez 2014 09:23

Letzte Änderung:

24 Apr 2024 19:59

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