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Isotope effect on the lifetime of the 2 p0 state in phosphorus-doped silicon

Hübers, Heinz-Wilhelm und Pavlov, S.G. und Lynch, S. A. und Greenland, Th. und Litvinenko, K. L. und Murdin, B.N. und Redlich, Britta und van der Meer, A. F. G. und Riemann, H. und Abrosimov, N. V. und Becker, Peter und Pohl, H.-J. und Zhukavin, R.Kh. und Shastin, V.N. (2013) Isotope effect on the lifetime of the 2 p0 state in phosphorus-doped silicon. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 88. American Physical Society. doi: 10.1103/PhysRevB.88.035201. ISSN 1098-0121.

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Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Isotope effect on the lifetime of the 2 p0 state in phosphorus-doped silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S.G.sergeij.pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Lynch, S. A.London Centre for Nanotechnology, University College London, 17-19 Gordon Street, London WC1H 0AH, United KingdomNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Greenland, Th.London Centre for Nanotechnology, University College London, 17-19 Gordon Street, London WC1H 0AH, United KingdomNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Litvinenko, K. L.Advanced Technology Institute, University of Surrey, Guildford GU2 7XH, United KingdomNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Murdin, B.N.Advanced Technology Institute, University of Surrey, Guildford GU2 7XH, United KingdomNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, BrittaFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
van der Meer, A. F. G.FOM Institute for Plasma PhysicsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Institute of Crystal Growth, BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.Institute of Crystal GrowthNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Becker, PeterInstitut für Technische PhysikNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pohl, H.-J.VITCON Projectconsult GmbH, Jena, GermanyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2013
Erschienen in:Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Ja
In ISI Web of Science:Nein
Band:88
DOI:10.1103/PhysRevB.88.035201
Verlag:American Physical Society
ISSN:1098-0121
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Isotope phosphorus-doped silicon FELIX
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HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Exploration des Sonnensystems
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Experimentelle Planetenphysik
Hinterlegt von: Stiebeler, Ulrike
Hinterlegt am:26 Mai 2014 09:14
Letzte Änderung:07 Nov 2023 08:46

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