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Extremely fast electron capture in moderately doped germanium

Pavlov, S.G. und Deßmann, N. und Mittendorff, M. und Winnerl, S. und Zhukavin, R.Kh. und Tsyplenkov, V.V. und Shengurov, D.V. und Shastin, V.N. und Abrosimov, N.V. und Riemann, H. und Hübers, Heinz-Wilhelm (2013) Extremely fast electron capture in moderately doped germanium. The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON), 2013-07-22 - 2013-07-26, Matsue, Japan.

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Kurzfassung

We report the observation of ultrafast capture of free electrons (n-Ge:Sb:Ga) and holes (p-Ge:Ga:Sb) in moderately doped (net concentration > 2×10^15/cm3) Ge with high compensation, up to 50%. The typical range of the relaxation times for photoinduced (far-infrared photo- ionization) transmittance is in the range of 20-300 ps dependent on the sample characteristics and the far-infrared light intensity. Measurements of the photoinduced decay have been carried out by a contactless pump-probe technique at the infrared free electron laser facility at HZDR, Dresden. The observed relaxation times of free charge carriers are up to two orders of magnitude shorter than the ~ 2 ns response time observed in the photoconductive response of neutron transmutation doped isotope-fixed compensated p-Ge:Ga:Se:As. This indicates the potential for very fast broad band detection of infrared pulses by extrinsic photoconductive germanium detectors with optimized doping, compensation, geometry and an appropriate electrical readout circuit.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/85089/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Extremely fast electron capture in moderately doped germanium
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pavlov, S.G.sergeij.pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Deßmann, N.nils.dessmann (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Mittendorff, M.FZD, RossendorfNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Winnerl, S.FZD, RossendorfNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V.V.Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shengurov, D.V.Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.V.Institute of Crystal Growth, BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Institute of Crystal Growth, BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2013
Referierte Publikation:Nein
Open Access:Ja
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Status:veröffentlicht
Stichwörter:ultrafast detector, germanium, terahertz
Veranstaltungstitel:The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON)
Veranstaltungsort:Matsue, Japan
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:22 Juli 2013
Veranstaltungsende:26 Juli 2013
Veranstalter :Institute of Industrial Science, University of Tokyo
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Verkehr
HGF - Programmthema:Verkehrsmanagement (alt)
DLR - Schwerpunkt:Verkehr
DLR - Forschungsgebiet:V VM - Verkehrsmanagement
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):V - Projekt OPTIMODE (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Experimentelle Planetenphysik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:19 Nov 2013 14:08
Letzte Änderung:24 Apr 2024 19:51

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