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Multi-channel electron intracenter relaxation in hydrogen-like donors in silicon

Pavlov, S.G. und Abrosimov, N.V. und Riemann, H. und Shastin, V.N. und Zhukavin, R.Kh. und Tsyplenkov, V.V. und Hovenier, J.N. und Carder, D.A. und Redlich, B. und Meer, A.F.G. van der und Hübers, Heinz-Wilhelm (2012) Multi-channel electron intracenter relaxation in hydrogen-like donors in silicon. ICPS 2012, 2012-07-29 - 2012-08-03, Zürich, Schweiz.

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Kurzfassung

Electronic relaxation on ionized and neutral impurity centers in silicon has been thoroughly studied over last 60 years. Because electronic capture in silicon determines speed and efficiency of optoelectronic and electronic devices this study was mostly driven by silicon-based electronics. Nowadays, an understanding of relaxation processes in doped silicon becomes actual for the development of impurity-based silicon lasers. For a long time the cascade model of electronic capture has been accepted as mostly adequate for description of intracenter relaxation in silicon. The cascade model based on the assumption that a free carrier is captured first in a highly excited state with a large orbit radius. Then the carriers go down the ‘‘ladder’’ of closely spaced energy levels under simultaneous emission/absorption of acoustic phonons. We have carried out experiments on intracenter excitation of silicon crystals doped by hydrogen-like donors. The analysis of observed emission spectra of the n-Si terahertz intracenter lasers together with the laser thresholds as well as empirical data for lifetimes of particular excited states allows to estimate different schemes of intracenter relaxation. The most important result is evidence of different specific channels for electron relaxation through low lying donor states. The dominating relaxation channels strongly depend on the initial energy distribution of the nonequilibrium carriers. A relaxation step may exceed not only the energy gap to an adjacent lower-lying donor level but also the Lax´s characteristic energy step as set by the energy and momentum conservation requirements for intravalley acoustic phonons. The latter indicates on significant contribution of intervalley phonons for such a relaxation that fits to the theoretical calculation of relaxation rates in n-Si with assistance of intervalley acoustic phonons. Intracenter relaxation rates of a number of channels have been estimated from experimental data. The fastest channels for intracenter relaxation onto the ground state of hydrogen-like donors have characteristic relaxation rates above 1e10/s, and in the case of resonant interaction of donors with intervalley phonons – above 1e11/s. Multi-channel relaxation scheme can explain experimentally observed relatively short lifetimes of nonequilibrium electronic distributions in excited donor states of Si:P and Si:As: 100-205 ps.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/78302/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Poster)
Titel:Multi-channel electron intracenter relaxation in hydrogen-like donors in silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pavlov, S.G.sergeij.pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.V.Institute of Crystal Growth, BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Institute of Crystal Growth, BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V.V.Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, J.N.Universität Delft, NLNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Carder, D.A.FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.FOM Institute for Plasma PhysicsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Meer, A.F.G. van derFOM-Institute for Plasma Physics, Rijnhuizen, Nieuwegein, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2012
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Status:veröffentlicht
Stichwörter:silicon, electronic relaxation
Veranstaltungstitel:ICPS 2012
Veranstaltungsort:Zürich, Schweiz
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:29 Juli 2012
Veranstaltungsende:3 August 2012
Veranstalter :ETH, Zürich
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Verkehr
HGF - Programmthema:Verkehrsmanagement (alt)
DLR - Schwerpunkt:Verkehr
DLR - Forschungsgebiet:V VM - Verkehrsmanagement
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):V - Projekt FAMOUS 2 (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Experimentelle Planetenphysik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:09 Nov 2012 11:23
Letzte Änderung:24 Apr 2024 19:44

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