Lifetimes of operating states in terahertz intracenter silicon lasers

Tsyplenkov, V. V. und Zhukavin, R. Kh. und Kovalevsky, K. A. und Shastin, V. N. und Hübers, H.-W. und Pavlov, S. G. und Abrosimov, N. V. und Phillips, P. J. und Carder, D. A. (2009) Lifetimes of operating states in terahertz intracenter silicon lasers. In: Terahertz and Mid Infrared Radiation: Basic Research and Practical Application, Seiten 85-86. Institute of Electrical and Electronics Engineers. NATO Advanced Research Workshop on Terahertz and Mid Infrared Radiation: Basic Research and Applications, 2009-11-03 - 2009-11-06, Turunç-Marmaris, Turkey. ISBN 978-1-4244-3850-1.

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Kurzfassung

The result on theoretical and experimental study of principal states relaxation for terahertz range silicon laser based on phosphor and arsenic shallow donor centers are reported. Numerical simulations show that f-TA and f-LA intervalley phonons scattering dominates in laser state relaxation. The theoretical values of relaxation rates fit well to the experimental data obtained by the pump-und-probe modulated transmission technique.

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/62270/

Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Poster)

Zusätzliche Informationen:

Spätere Veröffentlichung zusätzlich in der Reihe: NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics, Springer Verlag

Titel:

Lifetimes of operating states in terahertz intracenter silicon lasers

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Tsyplenkov, V. V.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R. Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kovalevsky, K. A.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V. N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S. G.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.	Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Phillips, P. J.	FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Carder, D. A.	FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

November 2009

Erschienen in:

Terahertz and Mid Infrared Radiation: Basic Research and Practical Application

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Seitenbereich:

Seiten 85-86

Verlag:

Institute of Electrical and Electronics Engineers

ISBN:

978-1-4244-3850-1

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

silicon lasers life times terahertz

Veranstaltungstitel:

NATO Advanced Research Workshop on Terahertz and Mid Infrared Radiation: Basic Research and Applications

Veranstaltungsort:

Turunç-Marmaris, Turkey

Veranstaltungsart:

Workshop

Veranstaltungsbeginn:

3 November 2009

Veranstaltungsende:

6 November 2009

Veranstalter :

IEEE

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

W - Projekt SOFIA (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

06 Jan 2010 09:23

Letzte Änderung:

24 Apr 2024 19:27

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