Terahertz lasing from silicon by infrared Raman scattering on bismuth centers

Pavlov, S. G. und Böttger, U. und Eichholz, R. und Abrosimov, N. V. und Riemann, H. und Shastin, V. N. und Redlich, B. und Hübers, H.-W. (2009) Terahertz lasing from silicon by infrared Raman scattering on bismuth centers. Applied Physics Letters, 95, Seiten 201110-1. American Institute of Physics (AIP). doi: 10.1063/1.3266837.

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Kurzfassung

Stimulated emission at terahertz frequencies (4.5–5.8 THz) has been realized by electronic Raman scattering of infrared radiation on bismuth donor centers in silicon at low temperatures. The Stokes shift of the observed laser emission is 40.53 meV which corresponds to the bismuth intracenter transition between the 1s(A1) ground state and the excited 1s(E) state. The laser has a low optical threshold and the largest frequency coverage in comparison with other Raman silicon lasers based on shallow donor centers. Time-resolved pump spectra enable the separation of donor and Raman lasing.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Terahertz lasing from silicon by infrared Raman scattering on bismuth centers

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, S. G.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, U.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Eichholz, R.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.	Institute of Crystal Growth	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.	Institute of Crystal Growth	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V. N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.	FOM Institute for Plasma Physics	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2009

Erschienen in:

Applied Physics Letters

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

In ISI Web of Science:

Band:

DOI:

10.1063/1.3266837

Seitenbereich:

Seiten 201110-1

Verlag:

American Institute of Physics (AIP)

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

bismuth, doping, excited states, ground states, Raman spectra, semiconductor lasers, silicon, stimulated emission, stimulated Raman scattering, terahertz wave spectra

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

W - Projekt SOFIA (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

06 Jan 2010 08:42

Letzte Änderung:

08 Mär 2018 18:52

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