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Pavlov, S.G. und Hübers, H.-W. und Böttger, U. und Abrosimov, N.V. und Riemann, H. und Shastin, V.N. und Redlich, B. und van der Meer, A.F.G. (2009) Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon. In: Book of Abstracts of the 25th Int. Conf. on Defects in Semiconductors, Seite 102. Ioffe Institute. 25th International Conference on Defects in Semiconductors, 2009-07-20 - 2009-07-24, St Petersburg, Russia. ISBN 978-5-93634-048-2.
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Kurzfassung
New principals to generate stimulated emission in terahertz frequency range from silicon doped by shallow donor centers have been demonstrated. Lasing in the frequency bands cov-ering the range of 5.0 –6.7 THz, has been achieved from silicon crystals doped by all group-V donors under optical pumping by radiation of frequency-tunable mid-infrared free electron laser at cryogenic temperatures. Analysis of the data shows that the emission corresponds to Stokes-shifted Raman-type lasing. The Stokes shift is determined by the 1s(E)-1s(A1) donor electronic resonance.
| elib-URL des Eintrags: | https://elib.dlr.de/59859/ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| Dokumentart: | Konferenzbeitrag (Vortrag) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Titel: | Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Autoren: |
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| Datum: | Juli 2009 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Erschienen in: | Book of Abstracts of the 25th Int. Conf. on Defects in Semiconductors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Referierte Publikation: | Nein | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Open Access: | Nein | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gold Open Access: | Nein | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| In SCOPUS: | Nein | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| In ISI Web of Science: | Nein | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Seitenbereich: | Seite 102 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Verlag: | Ioffe Institute | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISBN: | 978-5-93634-048-2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Status: | veröffentlicht | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Stichwörter: | electronic Raman scattering, silicon laser | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Veranstaltungstitel: | 25th International Conference on Defects in Semiconductors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Veranstaltungsort: | St Petersburg, Russia | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Veranstaltungsart: | internationale Konferenz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Veranstaltungsbeginn: | 20 Juli 2009 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Veranstaltungsende: | 24 Juli 2009 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Veranstalter : | Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGF - Forschungsbereich: | Verkehr und Weltraum (alt) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGF - Programm: | Weltraum (alt) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGF - Programmthema: | W EW - Erforschung des Weltraums | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLR - Schwerpunkt: | Weltraum | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLR - Forschungsgebiet: | W EW - Erforschung des Weltraums | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben): | W - Projekt SOFIA (alt) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Standort: | Berlin-Adlershof | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Institute & Einrichtungen: | Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hinterlegt von: | Pavlov, Dr. Sergey | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hinterlegt am: | 06 Jan 2010 21:06 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Letzte Änderung: | 24 Apr 2024 19:24 |
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