Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon

Pavlov, S.G. und Böttger, U. und Hovenier, J.N. und Abrosimov, N.V. und Riemann, H. und Zhukavin, R.Kh. und Shastin, V.N. und Redlich, B. und van der Meer, A.F.G. und Hübers, H.-W. (2009) Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon. Applied Physics Letters, 94, Seiten 171112-1. American Institute of Physics (AIP). doi: 10.1063/1.3119662.

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Kurzfassung

Stimulated Raman emission in the terahertz frequency range (4.8–5.1 THz and 5.9–6.5 THz) has been realized by optical excitation of arsenic donor centers in silicon at low temperatures. The Stokes shift of the observed laser emission is 5.42 THz which is equal to the Raman-active donor electronic transition between the ground 1s(A1) and the excited 1s(E) arsenic states. Optical thresholds of the Raman laser are similar to those observed for other silicon donor lasers. In addition intracenter donor lasing has been observed when pumping on the dipole-forbidden 1s(A1)-2s transition.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, S.G.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, U.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, J.N.	Kavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.V.	Leibniz Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.	Leibniz Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.	FOM Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
van der Meer, A.F.G.	FOM Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2009

Erschienen in:

Applied Physics Letters

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

In ISI Web of Science:

Band:

DOI:

10.1063/1.3119662

Seitenbereich:

Seiten 171112-1

Verlag:

American Institute of Physics (AIP)

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

silicon Raman laser, terahertz laser

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

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Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

W - Projekt SOFIA (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

06 Jan 2010 21:10

Letzte Änderung:

08 Mär 2018 18:52

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