elib
DLR-Header
DLR-Logo -> http://www.dlr.de
DLR Portal Home | Impressum | Datenschutz | Kontakt | English
Schriftgröße: [-] Text [+]

Evidence of noncascade intracenter electron relaxation in shallow donor centers in silicon

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Haas, Philipp und Hovenier, Niels und Klaassen, Tjeerd und Zhukavin, Roman und Shastin, Valery und Carder, Damian und Redlich, Britta (2008) Evidence of noncascade intracenter electron relaxation in shallow donor centers in silicon. Physical Review B, 78, 165201-1-165201-7. The American Physical Society. doi: 10.1103/PhysRevB.78.165201.

[img] PDF - Nur DLR-intern zugänglich
448kB

Offizielle URL: http://link.aps.org/abstract/PRB/v78/e165201

Kurzfassung

Noncascade relaxation of photoexcited electrons on ionized donor centers has been observed in silicon doped by arsenic (Si:As) at low temperatures. Emission spectra of the Si:As terahertz intracenter laser give evidence of specific channels for the electron relaxation through low-lying donor states. The dominating relaxation channels strongly depend on the initial energy distribution of the nonequilibrium carriers. A relaxation step may exceed not only the energy gap to an adjacent lower-lying donor level but also the characteristic energy step as set by the energy and momentum conservation requirements for intravalley acoustic phonons.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/55914/
Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Evidence of noncascade intracenter electron relaxation in shallow donor centers in silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Haas, PhilippNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, NielsKavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Klaassen, TjeerdKavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, RomanInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, N.Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, ValeryInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, N.Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Carder, DamianFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, BrittaFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:6 Oktober 2008
Erschienen in:Physical Review B
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Band:78
DOI:10.1103/PhysRevB.78.165201
Seitenbereich:165201-1-165201-7
Verlag:The American Physical Society
Status:veröffentlicht
Stichwörter:silicon, electronic capture
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:25 Nov 2008
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:33

Nur für Mitarbeiter des Archivs: Kontrollseite des Eintrags

Blättern
Suchen
Hilfe & Kontakt
Informationen
electronic library verwendet EPrints 3.3.12
Gestaltung Webseite und Datenbank: Copyright © Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt (DLR). Alle Rechte vorbehalten.