Evidence of noncascade intracenter electron relaxation in shallow donor centers in silicon

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Haas, Philipp und Hovenier, Niels und Klaassen, Tjeerd und Zhukavin, Roman und Shastin, Valery und Carder, Damian und Redlich, Britta (2008) Evidence of noncascade intracenter electron relaxation in shallow donor centers in silicon. Physical Review B, 78, 165201-1-165201-7. The American Physical Society. doi: 10.1103/PhysRevB.78.165201.

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Offizielle URL: http://link.aps.org/abstract/PRB/v78/e165201

Kurzfassung

Noncascade relaxation of photoexcited electrons on ionized donor centers has been observed in silicon doped by arsenic (Si:As) at low temperatures. Emission spectra of the Si:As terahertz intracenter laser give evidence of specific channels for the electron relaxation through low-lying donor states. The dominating relaxation channels strongly depend on the initial energy distribution of the nonequilibrium carriers. A relaxation step may exceed not only the energy gap to an adjacent lower-lying donor level but also the characteristic energy step as set by the energy and momentum conservation requirements for intravalley acoustic phonons.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Evidence of noncascade intracenter electron relaxation in shallow donor centers in silicon

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, Sergey	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Haas, Philipp	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, Niels	Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Klaassen, Tjeerd	Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, Roman	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, Valery	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Carder, Damian	FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, Britta	FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

6 Oktober 2008

Erschienen in:

Physical Review B

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Band:

DOI:

10.1103/PhysRevB.78.165201

Seitenbereich:

165201-1-165201-7

Verlag:

The American Physical Society

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

silicon, electronic capture

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

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Weltraum (alt)

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W EW - Erforschung des Weltraums

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Weltraum

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W - Projekt SOFIA (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

25 Nov 2008

Letzte Änderung:

12 Dez 2013 20:33

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