Terahertz Raman laser based on silicon doped with phosphorus

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Böttger, Ute und Zhukavin, Roman und Shastin, Valery und Hovenier, Niels und Redlich, Britta und Abrosimov, Nickolay und Riemann, Helge (2008) Terahertz Raman laser based on silicon doped with phosphorus. Applied Physics Letters, 92, 091111-1-091111-3. American Institute of Physics. doi: 10.1063/1.2890717.

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Kurzfassung

Raman-type stimulated emission at frequencies between 5.0 and 5.2 THz as well as between 6.1 and 6.4 THz has been realized in silicon crystals doped by phosphorus donors. The Raman laser operates at around 5 K under optical excitation by a pulsed, frequency-tunable infrared free electron laser. The frequencies of the observed laser emission are close to the frequencies of the intracenter laser lines which originate from the 2p0 and 2p± phosphorus states. The Stokes shift of 3.16 THz is equal to the difference between the energies of the phosphorus ground state, 1s(A1), and the 1s(E) excited state.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Terahertz Raman laser based on silicon doped with phosphorus

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, Sergey	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, Ute	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, Roman	Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, Valery	Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, Niels	Kavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, Britta	FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, Nickolay	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, Helge	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

4 März 2008

Erschienen in:

Applied Physics Letters

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Band:

DOI:

10.1063/1.2890717

Seitenbereich:

091111-1-091111-3

Verlag:

American Institute of Physics

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Raman laser, Silicon laser, THz laser

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

W - Projekt SOFIA (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

25 Nov 2008

Letzte Änderung:

12 Dez 2013 20:33

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