Terahertz Emission from Phosphor Centers in SiGe and SiGe/Si Semiconductors

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Abrosimov, Nickolay und Riemann, Helge und Radamson, Henry und Bekin, Nickolay und Yablonsky, Artem und Zhukavin, Roman und Drozdov, Yury und Shastin, Valery (2008) Terahertz Emission from Phosphor Centers in SiGe and SiGe/Si Semiconductors. Solid State Phenomena, 131-13, Seiten 613-618. Trans Tech Publications Inc.. doi: 10.4028/3-908451-43-4.613. ISBN 3-908451-43-4.

PDF - Nur DLR-intern zugänglich
246kB

Offizielle URL: http://www.scientific.net/3-908451-43-4/613/

Kurzfassung

Terahertz-range photoluminescence from silicon-germanium crystals and superlattices doped by phosphor has been studied under optical excitation by radiation from a mid-infrared CO2 laser at low temperature. SiGe crystals with a Ge content between 0.9 and 6.5 %, doped by phosphor with a concentration optimal for silicon laser operation, do not exhibit terahertz gain. On the contrary, terahertz-range gain of ~ 2.3 - 3.2 1/cm has been observed for donor-related optical transitions in Si/SiGe strained superlattices at pump intensities above 100 kW/cm2.

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/55911/

Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Terahertz Emission from Phosphor Centers in SiGe and SiGe/Si Semiconductors

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, Sergey	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, Nickolay	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, Helge	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Radamson, Henry	Royal Institute of Technology, Kista, Sweden	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Bekin, Nickolay	Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Yablonsky, Artem	Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, Roman	Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Drozdov, Yury	Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, Valery	Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2008

Erschienen in:

Solid State Phenomena

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Band:

131-13

DOI:

10.4028/3-908451-43-4.613

Seitenbereich:

Seiten 613-618

Verlag:

Trans Tech Publications Inc.

ISBN:

3-908451-43-4

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

silicon-germanium, terahertz emission

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

W - Projekt SOFIA (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

25 Nov 2008

Letzte Änderung:

12 Dez 2013 20:33

Nur für Mitarbeiter des Archivs: Kontrollseite des Eintrags