Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon

Zhukavin, Roman und Tsyplenkov, Veniamin und Kovalesky, Konstantin und Shastin, Valery und Pavlov, Sergey und Böttger, Ute und Hübers, Heinz-Wilhelm und Riemann, Helge und Abrosimov, Nikolay und Nötzel, Natalia (2007) Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon. Applied Physics Letters, 90, 051101-1-051101-3. American Institute of Physics. doi: 10.1063/1.2431568.

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Kurzfassung

The effect of uniaxial stress on terahertz stimulated emission from phosphor and antimony donors in silicon excited by CO2 laser radiation was studied. The laser action originates from 2p<sub>0</sub>->1s(T<sub>2</sub>) intracenter transitions. A compressive force applied to the silicon crystal decreases the laser threshold by one order of magnitude. The output power depends nonmonotonically on the stress, while the emission frequency does not change. The results are explained by changes of the donor electronic structure, which do not affect the energy gap between the laser states, and a resonant interaction with acoustic f-TA and g-TA phonons that disappears with increasing stress. ©2007 American Institute of Physics

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Zhukavin, Roman	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, Veniamin	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kovalesky, Konstantin	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, Valery	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, Sergey	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, Ute	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, Helge	Institute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, Nikolay	Institute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Nötzel, Natalia	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

29 Januar 2007

Erschienen in:

Applied Physics Letters

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Band:

DOI:

10.1063/1.2431568

Seitenbereich:

051101-1-051101-3

Verlag:

American Institute of Physics

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

antimony; silicon; elemental semiconductors; stress effects; phosphorus; stimulated emission; energy gap; phonon-phonon interactions; impurity states; submillimetre wave spectra

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

W - Projekt SOFIA (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

09 Jul 2007

Letzte Änderung:

12 Dez 2013 20:25

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