Low-threshold terahertz Si:As laser

Pavlov, Sergey und Böttger, Ute und Hübers, Heinz-Wilhelm und Zhukavin, Roman und Kovalevsky, Konstantin und Tsyplenkov, Veniamin und Shastin, Valery und Abrosimov, Nikolay und Riemann, Helge (2007) Low-threshold terahertz Si:As laser. Applied Physics Letters, 90, 141149-1-141149-3. American Institute of Physics. doi: 10.1063/1.2720271.

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Kurzfassung

The optical threshold of terahertz intracenter arsenic-doped silicon lasers has been reduced by two orders of magnitude by applying a compressive force to the laser crystal. The Si:As lasers were optically excited with radiation from a CO2 laser operating at a wavelength of 10.59 µm. The lowest threshold intensity of 8 kW/cm2 was realized at about 3×108 Pa stress applied along the [001] crystal axis. The uniaxial stress breaks the resonant interaction of electrons bound to donors with intervalley f phonons. This changes the upper laser state from 2p± to 2p0, lowers the laser threshold, and increases the output power. ©2007 American Institute of Physics

elib-URL des Eintrags:

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Low-threshold terahertz Si:As laser

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, Sergey	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, Ute	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, Roman	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kovalevsky, Konstantin	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, Veniamin	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, Valery	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, Nikolay	Institute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, Helge	Institute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2 April 2007

Erschienen in:

Applied Physics Letters

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Band:

DOI:

10.1063/1.2720271

Seitenbereich:

141149-1-141149-3

Verlag:

American Institute of Physics

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

arsenic; silicon; elemental semiconductors; semiconductor lasers; submillimetre wave lasers; optical pumping; phonons

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

W - Projekt SOFIA (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

10 Jul 2007

Letzte Änderung:

12 Dez 2013 20:25

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