Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon

Zhukavin, R. Kh. und Tsyplenkov, V. V. und Kovalevsky, K. A. und Shastin, V. N. und Pavlov, S. G. und Böttger, U. und Hübers, H.-W. und Riemann, H. und Abrosimov, N. V. und Nötzel, N. (2007) Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon. Applied Physics Letters, 90 (5), 051101-1-051101-3. American Institute of Physics. doi: 10.1063/1.2431568.

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Kurzfassung

The effect of uniaxial stress on terahertz stimulated emission from phosphor and antimony donors in silicon excited by CO2 laser radiation was studied. The laser action originates from 2p0 → 1s (T2) intacenter transitions. A compressive force applied to the silicon crystal decreases the laser threshold by one order of magnitude. The output opwer depends nonmonotonically on the stress, while the emission frequency does not change. The results are explained by changes of the donor electronic structure, which do not affect the energy gap between the laser states, and a resonant interaction with acoustic f-TA and g-TA phonons that disappears with increasing stress.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Zhukavin, R. Kh.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V. V.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kovalevsky, K. A.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V. N.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S. G.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, U.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.	Institute of Crystal Growth, Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.	Institute of Crystal Growth, Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Nötzel, N.	Institute of Crystal Growth, Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

29 Januar 2007

Erschienen in:

Applied Physics Letters

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Band:

DOI:

10.1063/1.2431568

Seitenbereich:

051101-1-051101-3

Verlag:

American Institute of Physics

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Terahertz, Siliszium, Laser, Stress

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

W - keine Zuordnung (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung

Hinterlegt von:

Hübers, Dr. Heinz-Wilhelm

Hinterlegt am:

26 Feb 2007

Letzte Änderung:

27 Apr 2009 13:31

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