Silicon Stokes terahertz laser

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Hovenier, Jacob Niels und Klaassen, Tjeerd Onno und Carder, Damian A. und Phillips, P. Jonathan und Redlich, Britta und Riemann, Helge und Zhukavin, Roman und Shastin, Valery (2007) Silicon Stokes terahertz laser. In: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (893), Seiten 1445-1446. 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006, 2006-07-24 - 2006-07-28, Vienna (Austria). ISBN 978-0-7354-0397-0.

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Kurzfassung

A Raman-type silicon laser at terahertz frequencies has been realized. Stokes-shifted stimulated emission has been observed from silicon crystals doped by antimony donors when optically excited by an infrared free electron laser. The Raman lasing was obtained due to resonant scattering on electronic states of a donor atom. ©2007 American Institute of Physics

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/44590/

Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Poster)

Titel:

Silicon Stokes terahertz laser

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, Sergey	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, Jacob Niels	Kavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Klaassen, Tjeerd Onno	Kavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Carder, Damian A.	FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Phillips, P. Jonathan	FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, Britta	FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, Helge	Institute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, Roman	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, Valery	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

10 April 2007

Erschienen in:

28th International Conference on the Physics of Semiconductors

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Seitenbereich:

Seiten 1445-1446

Name der Reihe:

AIP Conference Proceedings

ISBN:

978-0-7354-0397-0

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

semiconductor lasers; silicon; Raman spectra; stimulated emission; free electron lasers

Veranstaltungstitel:

28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006

Veranstaltungsort:

Vienna (Austria)

Veranstaltungsart:

internationale Konferenz

Veranstaltungsdatum:

2006-07-24 - 2006-07-28

Veranstalter :

Austrian Research Centers, Vienna University of Technology, Gesellschaft für Mikro- und Nanoelektronik, Austria

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

W - Projekt SOFIA (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

10 Jul 2007

Letzte Änderung:

12 Dez 2013 20:20

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