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Silicon Stokes terahertz laser

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Hovenier, Jacob Niels und Klaassen, Tjeerd Onno und Carder, Damian A. und Phillips, P. Jonathan und Redlich, Britta und Riemann, Helge und Zhukavin, Roman und Shastin, Valery (2007) Silicon Stokes terahertz laser. In: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (893), Seiten 1445-1446. 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006, 2006-07-24 - 2006-07-28, Vienna (Austria). ISBN 978-0-7354-0397-0.

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224kB

Offizielle URL: http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=APCPCS000893000001001445000001&idtype=cvips&gifs=Yes

Kurzfassung

A Raman-type silicon laser at terahertz frequencies has been realized. Stokes-shifted stimulated emission has been observed from silicon crystals doped by antimony donors when optically excited by an infrared free electron laser. The Raman lasing was obtained due to resonant scattering on electronic states of a donor atom. ©2007 American Institute of Physics

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/44590/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Poster)
Titel:Silicon Stokes terahertz laser
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, Jacob NielsKavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Klaassen, Tjeerd OnnoKavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Carder, Damian A.FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Phillips, P. JonathanFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, BrittaFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, HelgeInstitute of Crystal Growth, 12489 Berlin, GermanyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, RomanInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, ValeryInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:10 April 2007
Erschienen in:28th International Conference on the Physics of Semiconductors
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seiten 1445-1446
Name der Reihe:AIP Conference Proceedings
ISBN:978-0-7354-0397-0
Status:veröffentlicht
Stichwörter:semiconductor lasers; silicon; Raman spectra; stimulated emission; free electron lasers
Veranstaltungstitel:28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006
Veranstaltungsort:Vienna (Austria)
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:24 Juli 2006
Veranstaltungsende:28 Juli 2006
Veranstalter :Austrian Research Centers, Vienna University of Technology, Gesellschaft für Mikro- und Nanoelektronik, Austria
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:10 Jul 2007
Letzte Änderung:24 Apr 2024 19:06

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