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Thermoelectric Properties of n- and p-Doped P/M Silicon-Germanium Alloys with Respect to the Degree of Alloying.

Pixius, K. (1995) Thermoelectric Properties of n- and p-Doped P/M Silicon-Germanium Alloys with Respect to the Degree of Alloying. DLR-Interner Bericht. 334-95/01. 22 S.

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elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/42967/
Dokumentart:Berichtsreihe (DLR-Interner Bericht)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1995,
Titel:Thermoelectric Properties of n- and p-Doped P/M Silicon-Germanium Alloys with Respect to the Degree of Alloying.
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pixius, K.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1995
Erschienen in:Ames Laboratory Iowa State University, 01.04. - 31.07.1995
Open Access:Nein
Seitenanzahl:22
Status:veröffentlicht
HGF - Forschungsbereich:NICHT SPEZIFIZIERT
HGF - Programm:Erneuerbare Energie
HGF - Programmthema:E SF - Solarforschung (alt)
DLR - Schwerpunkt:NICHT SPEZIFIZIERT
DLR - Forschungsgebiet:E SF - Solarforschung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):NICHT SPEZIFIZIERT
Standort: Köln-Porz
Institute & Einrichtungen:Institut für Werkstoff-Forschung
Hinterlegt von: DLR-Beauftragter, elib
Hinterlegt am:02 Apr 2006
Letzte Änderung:27 Apr 2009 12:33

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