Conduction Mechanism and Noise in Submicron GaAs Schottky-Barrier Diodes.

Hübers, H.W. und Röser, H.P. (1994) Conduction Mechanism and Noise in Submicron GaAs Schottky-Barrier Diodes. In: Proc. of the 19th Internat. Conf. on Infrared and Millimeter Waves, Sendai, Japan, 17-21 Oct. 1994; JSAP Catalog No. AP941228 (1994), Seiten 31-32.

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Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Paper)

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=1995,

Titel:

Conduction Mechanism and Noise in Submicron GaAs Schottky-Barrier Diodes.

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Hübers, H.W.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Röser, H.P.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

1994

Erschienen in:

Proc. of the 19th Internat. Conf. on Infrared and Millimeter Waves, Sendai, Japan, 17-21 Oct. 1994; JSAP Catalog No. AP941228 (1994)

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Seitenbereich:

Seiten 31-32

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Schottky-Barrier Dioden, Submicron Structure, Electron Conduction

HGF - Forschungsbereich:

NICHT SPEZIFIZIERT

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EO - Erdbeobachtung

DLR - Schwerpunkt:

NICHT SPEZIFIZIERT

DLR - Forschungsgebiet:

W EO - Erdbeobachtung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

NICHT SPEZIFIZIERT

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Institut für Weltraumsensorik

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

02 Apr 2006

Letzte Änderung:

27 Apr 2009 09:58

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