Stimulated Terahertz Stokes Emission of Silicon Crystals Doped with Antimony Donors

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Hovenier, Jacob Niels und Klaassen, Tjeerd Onno und Carder, Damian A. und Phillips, P. Jonathan und Redlich, Britta und Riemann, Helge und Zhukavin, Roman Kh. und Shastin, Valery N. (2006) Stimulated Terahertz Stokes Emission of Silicon Crystals Doped with Antimony Donors. Physical Review Letters, 96, 037404-1-037404-4. American Physical Society. doi: 10.1103/PhysRevLett.96.037404.

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Offizielle URL: http://link.aps.org/abstract/PRL/v96/e037404

Kurzfassung

Stimulated Stokes emission has been observed from silicon crystals doped by antimony donors when optically excited by radiation from a tunable infrared free electron laser. The photon energy of the emission is equal to the pump photon energy reduced by the energy of the intervalley transverse acoustic (TA) g-phonon in silicon (2.92 THz). The emission frequency covers the range of 4.6–5.8 THz. The laser process occurs due to a resonant coupling of the 1s(E) and 1s(A<sub>1</sub>) donor states (separation 2.97 THz) via the g-TA phonon, which conserves momentum and energy within a single impurity center.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Stimulated Terahertz Stokes Emission of Silicon Crystals Doped with Antimony Donors

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, Sergey	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, Jacob Niels	Kavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, 2600 GA Delft, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Klaassen, Tjeerd Onno	Kavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, 2600 GA Delft, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Carder, Damian A.	FOM-Institute for Plasma Physics, 3439 MN Nieuwegein, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Phillips, P. Jonathan	FOM-Institute for Plasma Physics, 3439 MN Nieuwegein, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, Britta	FOM-Institute for Plasma Physics, 3439 MN Nieuwegein, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, Helge	Institute of Crystal Growth, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin, Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, Roman Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, Valery N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

27 Januar 2006

Erschienen in:

Physical Review Letters

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Band:

DOI:

10.1103/PhysRevLett.96.037404

Seitenbereich:

037404-1-037404-4

Verlag:

American Physical Society

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Stokes lasing, silicon, terahertz

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

W - Projekt SOFIA (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

16 Feb 2006

Letzte Änderung:

12 Dez 2013 20:10

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