Schädigung von Optronik mit kurzen und ultrakurzen Laserpulsen

Abstract

Die Resistenz optronischer Komponenten gegen hochintensive Laserstrahlung ist in der Wehrtechnik und auch im zivilen Bereich von zunehmender Bedeutung. Untersuchungen zur Strahlungsschädigung optronischer Komponenten erfolgen am Institut für Technische Physik im Hinblick auf die spätere Verwendung der entsprechenden Komponenten und unter Berücksichtigung internationaler Standards der Zerstörschwellenmessung. Neben der Bestimmung von Schädigungsschwellen werden auch Schädigungsmorphologie und die zugehörigen Prozesse analysiert. Insbesondere der Einsatz eines Ultrakurzpulslasers ermöglichte die experimentelle Untersuchung des zeitlichen Skalierungsverhaltens der Schädigungsschwellen von kristallinem Ge und Si im Small-Spot Verfahren (1 / 1; s / 1). Als Laserquelle wurde ein kommerzieller Ti:Saphir Laser eingesetzt, dessen Pulsdauer im Bereich von 150 fs – 5.5 ps variiert werden konnte. Bei beiden Materialien konnte ein asymptotisches Verhalten bei Verkürzung der Pulse festgestellt werden, das hervorragend mit theoretischen Vorhersagen korrespondiert.