Ultrashort pulse damage of Si an Ge semiconductors

Allenspacher, P. und Riede, W. und Hüttner, B. (2003) Ultrashort pulse damage of Si an Ge semiconductors. In: Proceedings: Laser-Induced Damage in Optical Materials: 2002 and International Workshop on Laser Beam and Optics Characterization, 4932, Seiten 358-365. SPIE. Boulder Damage Symposium, Boulder CO, USA, 16.-18.9.2002. ISBN 0-8194-4727-7.

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Kurzfassung

An investigation of ultrashort pulse damage threshold of semiconductors (Si, Ge) has been carried out. As the source of radiation, a Clark CPA Ti:sapphire laser system (wavelength 775 nm) has been used. It produces laser pulses of 0.5 mJ pulse energy at 1 kHz repetition rate, providing a Gaussian-like beam profile. Compressor detuning allowed to vary the pulse duration from 150 fs to 20 ps. The laser damage thresholds were measured for this pulse duration range. The damage morphologies were investigated with various microscopic inspection techniques like Nomarski DIC, atomic force microscopy and white light interference microscopy.

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/2166/

Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Paper)

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=2002,

Titel:

Ultrashort pulse damage of Si an Ge semiconductors

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Allenspacher, P.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riede, W.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hüttner, B.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2003

Erschienen in:

Proceedings: Laser-Induced Damage in Optical Materials: 2002 and International Workshop on Laser Beam and Optics Characterization

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Band:

4932

Seitenbereich:

Seiten 358-365

Herausgeber:

Herausgeber	Institution und/oder E-Mail-Adresse der Herausgeber	Herausgeber-ORCID-iD	ORCID Put Code
Exarhos, Gregory J.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Guenther, Arthur H.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kaiser, Norbert	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Lewis, Keith L.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Soileau, M. J.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Stolz, Christopher J.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Giesen, Adolf	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Weber, Horst	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Verlag:

SPIE

Name der Reihe:

Proceedings of SPIE

ISBN:

0-8194-4727-7

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

ultrashort laser pulse´, semiconductors, Ti:Sapphire laser, 1-on-1 LIDT, melting threshold

Veranstaltungstitel:

Boulder Damage Symposium, Boulder CO, USA, 16.-18.9.2002

Veranstalter :

SPIE

HGF - Forschungsbereich:

Energie

HGF - Programm:

Luftfahrt

HGF - Programmthema:

keine Zuordnung

DLR - Schwerpunkt:

Energie

DLR - Forschungsgebiet:

L - keine Zuordnung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

L - Laserforschung und -technologie (alt)

Standort:

Stuttgart

Institute & Einrichtungen:

Institut für Technische Physik

Hinterlegt von:

Eckel, Dr.rer.nat. Hans-Albert

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

06 Jan 2010 14:46

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