Study of Relaxed Si0.7Ge0.3 Buffers Grown on Patterned Silicon Substrates by Raman Spectroscopy

Wöhl, G. und Kasper, E. und Klose, M. und Hackbarth, T. und Kibbel, H. (2001) Study of Relaxed Si0.7Ge0.3 Buffers Grown on Patterned Silicon Substrates by Raman Spectroscopy. GADEST 2001, Catania (Italy), September 30 - October 4, 2001.

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elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/2088/

Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Vortrag)

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=2001,

Titel:

Study of Relaxed Si0.7Ge0.3 Buffers Grown on Patterned Silicon Substrates by Raman Spectroscopy

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Wöhl, G.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kasper, E.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Klose, M.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hackbarth, T.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kibbel, H.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2001

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Status:

veröffentlicht

Veranstaltungstitel:

GADEST 2001, Catania (Italy), September 30 - October 4, 2001

Veranstalter :

CNR-IMETEM

HGF - Forschungsbereich:

Energie

HGF - Programm:

Luftfahrt

HGF - Programmthema:

keine Zuordnung

DLR - Schwerpunkt:

Energie

DLR - Forschungsgebiet:

L - keine Zuordnung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

L - Laserforschung und -technologie (alt)

Standort:

Stuttgart

Institute & Einrichtungen:

Institut für Technische Physik

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

06 Jan 2010 14:40

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