IR-RTI oscillations during laser induced epitaxial GaN film growth and the role of free carrier concentration

Hüttner, B. und Gross, M. und Rupp, T. und Schröder, H. (2000) IR-RTI oscillations during laser induced epitaxial GaN film growth and the role of free carrier concentration. Applied Surface Science, 154-155, Seiten 263-268.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=2001,

Titel:

IR-RTI oscillations during laser induced epitaxial GaN film growth and the role of free carrier concentration

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Hüttner, B.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Gross, M.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Rupp, T.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2000

Erschienen in:

Applied Surface Science

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Band:

154-155

Seitenbereich:

Seiten 263-268

Status:

veröffentlicht

HGF - Forschungsbereich:

Energie

HGF - Programm:

Luftfahrt

HGF - Programmthema:

keine Zuordnung

DLR - Schwerpunkt:

Energie

DLR - Forschungsgebiet:

L - keine Zuordnung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

L - Laserforschung und -technologie (alt)

Standort:

Stuttgart

Institute & Einrichtungen:

Institut für Technische Physik

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

06 Jan 2010 14:40

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