Relaxed Si0.7Ge0.3 buffer layers grown on patterned silicon substrates for SiGe n-channel HMOSFETs

Wöhl, G. und Dudek, V. und Graf, M. und Kibbel, H. und Herzog, H.-J. und Klose, M. (2000) Relaxed Si0.7Ge0.3 buffer layers grown on patterned silicon substrates for SiGe n-channel HMOSFETs. Thin Solids Films, 369 (1-2), Seiten 175-181.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=1999,

Titel:

Relaxed Si0.7Ge0.3 buffer layers grown on patterned silicon substrates for SiGe n-channel HMOSFETs

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Wöhl, G.	Institut für Halbleitertechnik, Universität Stuttgart	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Dudek, V.	Institut für Mikroelektronik Stuttgart	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Graf, M.	Institut für Mikroelektronik Stuttgart	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kibbel, H.	DaimlerChrysler-AG, Research and Technology, Ulm	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Herzog, H.-J.	DaimlerChrysler-AG, Research and Technology, Ulm	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Klose, M.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2000

Erschienen in:

Thin Solids Films

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Band:

369

Seitenbereich:

Seiten 175-181

Status:

veröffentlicht

HGF - Forschungsbereich:

Energie

HGF - Programm:

Luftfahrt

HGF - Programmthema:

keine Zuordnung

DLR - Schwerpunkt:

Energie

DLR - Forschungsgebiet:

L - keine Zuordnung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

L - Laserforschung und -technologie (alt)

Standort:

Stuttgart

Institute & Einrichtungen:

Institut für Technische Physik

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

06 Jan 2010 14:37

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