Characterization of GaN epilayers grown on sapphire and SiC substrates

Wieser, N. und Klose, M. und Scholz, F. und Off, J. und Dutrieux, Y. (1998) Characterization of GaN epilayers grown on sapphire and SiC substrates. In: Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Materials Science Forum Fols. 264-268 (1998, Seiten 1355-1358. Trans Tech Publications, Schweiz. International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Schweden, September 1997.

Dieses Archiv kann nicht den Volltext zur Verfügung stellen.

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/2039/

Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Paper)

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=1999,

Titel:

Characterization of GaN epilayers grown on sapphire and SiC substrates

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Wieser, N.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Klose, M.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Scholz, F.	4.Physik.Institut, Universität Stuttgart	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Off, J.	4.Physik.Institut, Universität Stuttgart	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Dutrieux, Y.	4.Physik.Institut, Universität Stuttgart	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

1998

Erschienen in:

Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Band:

Materials Science Forum Fols. 264-268 (1998

Seitenbereich:

Seiten 1355-1358

Herausgeber:

Herausgeber	Institution und/oder E-Mail-Adresse der Herausgeber	Herausgeber-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pensl, G.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Morkoc, H.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Monemar, B.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Janzen, E.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Verlag:

Trans Tech Publications, Schweiz

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Raman scattering, strain, carrier concentration

Veranstaltungstitel:

International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Schweden, September 1997

HGF - Forschungsbereich:

Energie

HGF - Programm:

Luftfahrt

HGF - Programmthema:

keine Zuordnung

DLR - Schwerpunkt:

Energie

DLR - Forschungsgebiet:

L - keine Zuordnung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

L - Laserforschung und -technologie (alt)

Standort:

Stuttgart

Institute & Einrichtungen:

Institut für Technische Physik

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

06 Jan 2010 14:36

Nur für Mitarbeiter des Archivs: Kontrollseite des Eintrags