Wieser, N. und Klose, M. und Scholz, F. und Off, J. (1998) Effect of thermal strain strain and carrier concentration on the phonon frequencies of GaN. In: Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Materials Science Forum Vols. 264-268 (1998), Seiten 1351-1354. Trans Tech Pulications, Schweiz. International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related materials, Stockholm, Schweden, September 1997.
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| elib-URL des Eintrags: | https://elib.dlr.de/2038/ | ||||||||||||||||||||
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| Dokumentart: | Konferenzbeitrag (Paper) | ||||||||||||||||||||
| Zusätzliche Informationen: | LIDO-Berichtsjahr=1999, | ||||||||||||||||||||
| Titel: | Effect of thermal strain strain and carrier concentration on the phonon frequencies of GaN | ||||||||||||||||||||
| Autoren: |
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| Datum: | 1998 | ||||||||||||||||||||
| Erschienen in: | Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials | ||||||||||||||||||||
| Open Access: | Nein | ||||||||||||||||||||
| Gold Open Access: | Nein | ||||||||||||||||||||
| In SCOPUS: | Nein | ||||||||||||||||||||
| In ISI Web of Science: | Nein | ||||||||||||||||||||
| Band: | Materials Science Forum Vols. 264-268 (1998) | ||||||||||||||||||||
| Seitenbereich: | Seiten 1351-1354 | ||||||||||||||||||||
| Herausgeber: |
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| Verlag: | Trans Tech Pulications, Schweiz | ||||||||||||||||||||
| Status: | veröffentlicht | ||||||||||||||||||||
| Stichwörter: | Raman scattering, Plasmon-Phonon Interactions, Strain. | ||||||||||||||||||||
| Veranstaltungstitel: | International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related materials, Stockholm, Schweden, September 1997 | ||||||||||||||||||||
| HGF - Forschungsbereich: | Energie | ||||||||||||||||||||
| HGF - Programm: | Luftfahrt | ||||||||||||||||||||
| HGF - Programmthema: | keine Zuordnung | ||||||||||||||||||||
| DLR - Schwerpunkt: | Energie | ||||||||||||||||||||
| DLR - Forschungsgebiet: | L - keine Zuordnung | ||||||||||||||||||||
| DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben): | L - Laserforschung und -technologie (alt) | ||||||||||||||||||||
| Standort: | Stuttgart | ||||||||||||||||||||
| Institute & Einrichtungen: | Institut für Technische Physik | ||||||||||||||||||||
| Hinterlegt von: | DLR-Beauftragter, elib | ||||||||||||||||||||
| Hinterlegt am: | 16 Sep 2005 | ||||||||||||||||||||
| Letzte Änderung: | 06 Jan 2010 14:36 |
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