Wieser, N. und Klose, M. und Scholz, F. und Off, J. (1998) Effect of thermal strain strain and carrier concentration on the phonon frequencies of GaN. In: Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Materials Science Forum Vols. 264-268 (1998), Seiten 1351-1354. Trans Tech Pulications, Schweiz. International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related materials, Stockholm, Schweden, September 1997.
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elib-URL des Eintrags: | https://elib.dlr.de/2038/ | ||||||||||||||||||||
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Dokumentart: | Konferenzbeitrag (Paper) | ||||||||||||||||||||
Zusätzliche Informationen: | LIDO-Berichtsjahr=1999, | ||||||||||||||||||||
Titel: | Effect of thermal strain strain and carrier concentration on the phonon frequencies of GaN | ||||||||||||||||||||
Autoren: |
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Datum: | 1998 | ||||||||||||||||||||
Erschienen in: | Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials | ||||||||||||||||||||
Open Access: | Nein | ||||||||||||||||||||
Gold Open Access: | Nein | ||||||||||||||||||||
In SCOPUS: | Nein | ||||||||||||||||||||
In ISI Web of Science: | Nein | ||||||||||||||||||||
Band: | Materials Science Forum Vols. 264-268 (1998) | ||||||||||||||||||||
Seitenbereich: | Seiten 1351-1354 | ||||||||||||||||||||
Herausgeber: |
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Verlag: | Trans Tech Pulications, Schweiz | ||||||||||||||||||||
Status: | veröffentlicht | ||||||||||||||||||||
Stichwörter: | Raman scattering, Plasmon-Phonon Interactions, Strain. | ||||||||||||||||||||
Veranstaltungstitel: | International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related materials, Stockholm, Schweden, September 1997 | ||||||||||||||||||||
HGF - Forschungsbereich: | Energie | ||||||||||||||||||||
HGF - Programm: | Luftfahrt | ||||||||||||||||||||
HGF - Programmthema: | keine Zuordnung | ||||||||||||||||||||
DLR - Schwerpunkt: | Energie | ||||||||||||||||||||
DLR - Forschungsgebiet: | L - keine Zuordnung | ||||||||||||||||||||
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben): | L - Laserforschung und -technologie (alt) | ||||||||||||||||||||
Standort: | Stuttgart | ||||||||||||||||||||
Institute & Einrichtungen: | Institut für Technische Physik | ||||||||||||||||||||
Hinterlegt von: | DLR-Beauftragter, elib | ||||||||||||||||||||
Hinterlegt am: | 16 Sep 2005 | ||||||||||||||||||||
Letzte Änderung: | 06 Jan 2010 14:36 |
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