Compositional fluctuations in GaInN/GaN double heterostructures investigated by selectively excited photoluminescence and Raman spectroscopy

Wieser, N. und Ambacher, O. und Felsl, H.-P. und Görgens, L. und Stutzmann, M. (1999) Compositional fluctuations in GaInN/GaN double heterostructures investigated by selectively excited photoluminescence and Raman spectroscopy. Applied Physics Letters, 74, Seiten 3981-3983.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=1999,

Titel:

Compositional fluctuations in GaInN/GaN double heterostructures investigated by selectively excited photoluminescence and Raman spectroscopy

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Wieser, N.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Ambacher, O.	Walter Schottky Institut, TU München	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Felsl, H.-P.	Walter Schottky Institut, TU München	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Görgens, L.	Walter Schottky Institut, TU München	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Stutzmann, M.	Walter Schottky Institut, TU München	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

1999

Erschienen in:

Applied Physics Letters

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Band:

Seitenbereich:

Seiten 3981-3983

Status:

veröffentlicht

HGF - Forschungsbereich:

Energie

HGF - Programm:

Luftfahrt

HGF - Programmthema:

keine Zuordnung

DLR - Schwerpunkt:

Energie

DLR - Forschungsgebiet:

L - keine Zuordnung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

L - Laserforschung und -technologie (alt)

Standort:

Stuttgart

Institute & Einrichtungen:

Institut für Technische Physik

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

06 Jan 2010 14:36

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