Characteristics of undoped and magnesium doped GaN films grown by laser induced MBE

Gross, M. und Henn, G. und Ziegler, J. und Allenspacher, P. und Cychy, C. und Schröder, H. (1999) Characteristics of undoped and magnesium doped GaN films grown by laser induced MBE. Materials Science & Engineering B, B59, Seiten 94-97.

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Kurzfassung

Epitaxial GaN films were grown on sapphire (0001) and 6H-SiC (0001) by reactive laser ablation of a metallic Ga target under continuous nitrogen flow. As radiation source a Nd:YAG laser with 30 ps pulses and a pulse rate of 1-3 kHz was used. The undoped films revealed a Hall background carrier concentration of 6xE^-17cm^-3 and an excitonic near band edge emission of 3.47 eV at 4.3 K. Mg incorporation into the Ga films was achieved by modulation of the evaporation from two targets (Ga and Mg) by laser beam scanning. CL, SIMS and AES measurements confirmed the Mg-doping of the films.

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/2022/

Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=1999,

Titel:

Characteristics of undoped and magnesium doped GaN films grown by laser induced MBE

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Gross, M.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Henn, G.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Ziegler, J.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Allenspacher, P.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Cychy, C.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

1999

Erschienen in:

Materials Science & Engineering B

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Band:

B59

Seitenbereich:

Seiten 94-97

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Laser induced molecular beam epitaxy, GaN, Mg doping.

HGF - Forschungsbereich:

Energie

HGF - Programm:

Luftfahrt

HGF - Programmthema:

keine Zuordnung

DLR - Schwerpunkt:

Energie

DLR - Forschungsgebiet:

L - keine Zuordnung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

L - Laserforschung und -technologie (alt)

Standort:

Stuttgart

Institute & Einrichtungen:

Institut für Technische Physik

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

06 Jan 2010 14:35

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