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Optoelectronic Properties of MoS2 in Proximity to Carrier Selective Metal Oxides

Lattyak, Colleen und Vehse, Martin und Gonzalez, Marco A. und Pareek, Devendra und Gütay, Levent und Schäfer, Sascha und Agert, Carsten (2022) Optoelectronic Properties of MoS2 in Proximity to Carrier Selective Metal Oxides. Advanced Optical Materials, 10 (9). Wiley. doi: 10.1002/adom.202102226. ISSN 2195-1071.

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Offizielle URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adom.202102226

Kurzfassung

Transition metal dichalcogenides are an exciting class of new absorber materials for photovoltaic applications due to their unique optoelectronic properties in the single to few-layer regime. In recent years, these materials have been intensively studied, often utilizing conventional substrates such as sapphire and silicon dioxide on silicon. This study investigates the optical properties of molybdenum disulfide (MoS2) mono-, bi-, and multilayer films prepared by flake exfoliation and atomic layer deposition (ALD). These films are transferred to different photovoltaic relevant carrier-selective contacts, such as titanium oxide, titanium–titanium oxide, molybdenum oxide, and silicon-silicon dioxide reference substrates. Raman and photoluminescence (PL) spectra of single-crystalline exfoliated MoS2 flakes and ALD-grown MoS2 films on different substrates are compared in order to investigate the influence of the different contact materials on the corresponding optical transitions in MoS2. It is demonstrated that the different substrates influence the Raman and PL spectra of MoS2 layers due to doping and charge transfer effects, and similar effects are observed in both the exfoliated single-crystalline flakes and ALD-grown MoS2 layers.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/190831/
Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Optoelectronic Properties of MoS2 in Proximity to Carrier Selective Metal Oxides
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Lattyak, Colleencolleen.lattyak (at) dlr.dehttps://orcid.org/0000-0001-6690-3585NICHT SPEZIFIZIERT
Vehse, Martinmartin.vehse (at) dlr.dehttps://orcid.org/0000-0003-0578-6121NICHT SPEZIFIZIERT
Gonzalez, Marco A.Institute of Physics, Carl von Ossietzky University of OldenburgNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pareek, Devendradevendra.pareek (at) uni-oldenburg.dehttps://orcid.org/0000-0001-7231-6686NICHT SPEZIFIZIERT
Gütay, LeventInstitute of Physics, Carl von Ossietzky University of OldenburgNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Schäfer, SaschaInstitute of Physics, Carl von Ossietzky University of OldenburgNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Agert, Carstencarsten.agert (at) dlr.dehttps://orcid.org/0000-0003-4733-5257NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:8 März 2022
Erschienen in:Advanced Optical Materials
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Ja
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:10
DOI:10.1002/adom.202102226
Verlag:Wiley
ISSN:2195-1071
Status:veröffentlicht
Stichwörter:photoluminescence, 2D materials, mixed-dimensional van der Waals heterojunctions, 2D interfaces, substrate effects
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Energiesystemdesign
HGF - Programmthema:Digitalisierung und Systemtechnologie
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:E SY - Energiesystemtechnologie und -analyse
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):E - Energiesystemtechnologie
Standort: Oldenburg
Institute & Einrichtungen:Institut für Vernetzte Energiesysteme > Stadt- und Gebäudetechnologien
Hinterlegt von: Lattyak, Colleen
Hinterlegt am:28 Nov 2022 08:49
Letzte Änderung:28 Nov 2022 08:49

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