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Thermal Activation of Valley-Orbit States of Neutral Magnesium in Silicon

Abraham, R. J. S. und Shuman, V. B. und Portsel, L. M. und Lodygin, A. N. und Astrov, Yu. A. und Abrosimov, N. V. und Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Simmons, S. und Thewalt, M. L. W. (2022) Thermal Activation of Valley-Orbit States of Neutral Magnesium in Silicon. Semiconductors, 56 (1), Seiten 59-62. Springer. doi: 10.21883/SC.2022.01.53120.9583A. ISSN 1090-6479.

[img] PDF - Nur DLR-intern zugänglich - Verlagsversion (veröffentlichte Fassung)
157kB

Offizielle URL: https://journals.ioffe.ru/articles/53120

Kurzfassung

Interstitial magnesium acts as a moderately deep double donor in silicon, and is relatively easily introduced by diffusion. Unlike the case of the chalcogen double donors, parameters of the even-parity valley-orbit excited states 1s(T_2) and 1s(E) have remained elusive. Here we report on further study of these states in neutral magnesium through temperature dependence absorption measurements. The results demonstrate thermal activation from the ground state 1s(A_1) to the valley-orbit states, as observed by transitions from the thermally populated levels to the odd-parity states 2p_0 and 2p_±. Analysis of the data makes it possible to determine the thermal activation energies of transitions from the donor ground state to 1s(T_2) and 1s(E) levels, as well as the binding energies of an electron with the valley-orbit excited states. Keywords: magnesium impurity in silicon, deep center, optical spectroscopy.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/190361/
Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Thermal Activation of Valley-Orbit States of Neutral Magnesium in Silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Abraham, R. J. S.Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia, CanadaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shuman, V. B.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Portsel, L. M.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Lodygin, A. N.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Astrov, Yu. A.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, SergeySergeij.Pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Simmons, S.Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia, CanadaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Thewalt, M. L. W.Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia, CanadaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:Januar 2022
Erschienen in:Semiconductors
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:56
DOI:10.21883/SC.2022.01.53120.9583A
Seitenbereich:Seiten 59-62
Verlag:Springer
ISSN:1090-6479
Status:veröffentlicht
Stichwörter:valley-orbit interaction, silicon, double donors
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R SY - Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Detektoren für optische Instrumente
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Optische Sensorsysteme > Terahertz- und Laserspektroskopie
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:21 Nov 2022 12:59
Letzte Änderung:29 Nov 2022 12:46

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