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Temperature Dependence of the Barrier Height of Pt/n-GaAs Schottky Diodes

Hübers, H.-W. und Röser, H.P. (1998) Temperature Dependence of the Barrier Height of Pt/n-GaAs Schottky Diodes. J. Appl. Phys., 84, Seiten 5326-5330.

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elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/17801/
Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Temperature Dependence of the Barrier Height of Pt/n-GaAs Schottky Diodes
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Röser, H.P.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1998
Erschienen in:J. Appl. Phys.
Referierte Publikation:Nein
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Band:84
Seitenbereich:Seiten 5326-5330
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Schottky diode, potential barrier, fermi level, pinning, terahertz, mixer, metal-semiconductor contact
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):NICHT SPEZIFIZIERT
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Weltraumsensorik und Planetenerkundung
Hinterlegt von: DLR-Beauftragter, elib
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:14 Jan 2010 18:18

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