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Hübers, H.-W. und Röser, H.P. (1998) Temperature Dependence of the Barrier Height of Pt/n-GaAs Schottky Diodes. J. Appl. Phys., 84, Seiten 5326-5330.
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| elib-URL des Eintrags: | https://elib.dlr.de/17801/ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Dokumentart: | Zeitschriftenbeitrag | ||||||||||||
| Zusätzliche Informationen: | LIDO-Berichtsjahr=1999, | ||||||||||||
| Titel: | Temperature Dependence of the Barrier Height of Pt/n-GaAs Schottky Diodes | ||||||||||||
| Autoren: |
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| Datum: | 1998 | ||||||||||||
| Erschienen in: | J. Appl. Phys. | ||||||||||||
| Referierte Publikation: | Nein | ||||||||||||
| Open Access: | Nein | ||||||||||||
| Gold Open Access: | Nein | ||||||||||||
| In SCOPUS: | Nein | ||||||||||||
| In ISI Web of Science: | Nein | ||||||||||||
| Band: | 84 | ||||||||||||
| Seitenbereich: | Seiten 5326-5330 | ||||||||||||
| Status: | veröffentlicht | ||||||||||||
| Stichwörter: | Schottky diode, potential barrier, fermi level, pinning, terahertz, mixer, metal-semiconductor contact | ||||||||||||
| HGF - Forschungsbereich: | Verkehr und Weltraum (alt) | ||||||||||||
| HGF - Programm: | Weltraum (alt) | ||||||||||||
| HGF - Programmthema: | W EO - Erdbeobachtung | ||||||||||||
| DLR - Schwerpunkt: | Weltraum | ||||||||||||
| DLR - Forschungsgebiet: | W EO - Erdbeobachtung | ||||||||||||
| DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben): | NICHT SPEZIFIZIERT | ||||||||||||
| Standort: | Berlin-Adlershof | ||||||||||||
| Institute & Einrichtungen: | Institut für Weltraumsensorik und Planetenerkundung | ||||||||||||
| Hinterlegt von: | DLR-Beauftragter, elib | ||||||||||||
| Hinterlegt am: | 16 Sep 2005 | ||||||||||||
| Letzte Änderung: | 14 Jan 2010 18:18 |
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