Semiconducting and Thermal Properties of p-Type sintered ß-FeSi2 with Mn and Al Double Doping

Kaibe, H.T. und Ernst, H. und Schackenberg, K. und Müller, E. und Isoda, Y. und Nishida, I.A. (2000) Semiconducting and Thermal Properties of p-Type sintered ß-FeSi2 with Mn and Al Double Doping. In: Extended abstracts; The Japanese Society of Applied Physics and Related Societies, AP 001108, 65-. The Japanese Society of Applied Physics and Related Societies. The 47th Spring Meeting 2000, 30.03.2000.

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elib-URL des Eintrags:

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Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Paper)

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=2001,

Titel:

Semiconducting and Thermal Properties of p-Type sintered ß-FeSi2 with Mn and Al Double Doping

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Kaibe, H.T.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Ernst, H.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Schackenberg, K.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Müller, E.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Isoda, Y.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Nishida, I.A.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2000

Erschienen in:

Extended abstracts; The Japanese Society of Applied Physics and Related Societies

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Band:

AP 001108

Seitenbereich:

65-

Verlag:

The Japanese Society of Applied Physics and Related Societies

Status:

veröffentlicht

Veranstaltungstitel:

The 47th Spring Meeting 2000, 30.03.2000

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Luftfahrt

HGF - Programmthema:

keine Zuordnung

DLR - Schwerpunkt:

Luftfahrt

DLR - Forschungsgebiet:

L TT - Triebwerkstechnologien

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

NICHT SPEZIFIZIERT

Standort:

Köln-Porz

Institute & Einrichtungen:

Institut für Werkstoff-Forschung

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

14 Jan 2010 17:23

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