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Features of Photothermal Ionization in Photoconducting Spectra of MidInfrared Silicon Detectors Doped by Deep Selenium Double Donors

Pohl, Andreas und Pavlov, Sergey und Shuman, V. B. und Portsel, L. M. und Lodygin, A. N. und Astrov, Yu. A. und Hübers, Heinz-Wilhelm (2020) Features of Photothermal Ionization in Photoconducting Spectra of MidInfrared Silicon Detectors Doped by Deep Selenium Double Donors. In: 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2020, 09370468. IEEE. 2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 2020-11-08 - 2020-11-13, Buffalo, NY, USA. doi: 10.1109/IRMMW-THz46771.2020.9370468. ISBN 978-172816620-9. ISSN 2162-2027.

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Offizielle URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/9370468

Kurzfassung

Diatomic centers of double donor doped silicon have lower chemical shifts as compared to the corresponding atomic impurity and by this essentially extend spectral sensitivity of silicon extrinsic infrared detectors towards longer wavelengths. Additional expansion of the detector spectral band, up to the effective-mass approximated theoretical value of about 2.7 THz, can be obtained by photothermal infrared absorption originated from intracenter transitions of a dopant. Due to large energy gaps between lowest excited states of double donors in silicon related photothermal transitions have not been considered yet as applicable for photoconductive light detection. We have investigated the operational conditions suitable for expanding the low temperature detection wavelength cut-off of selenium doped silicon infrared detectors towards 6.2 µm.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/142123/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Features of Photothermal Ionization in Photoconducting Spectra of MidInfrared Silicon Detectors Doped by Deep Selenium Double Donors
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pohl, AndreasA.Pohl (at) dlr.dehttps://orcid.org/0009-0005-5091-6476NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, SergeySergeij.Pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shuman, V. B.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Portsel, L. M.ioffe physical-technical institute, st. petersburg, russiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Lodygin, A. N.ioffe physical-technical institute, st. petersburg, russiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Astrov, Yu. A.ioffe physical-technical institute, st. petersburg, russiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2020
Erschienen in:45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2020
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Ja
In ISI Web of Science:Ja
DOI:10.1109/IRMMW-THz46771.2020.9370468
Seitenbereich:09370468
Verlag:IEEE
ISSN:2162-2027
ISBN:978-172816620-9
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Silicon, Infrare Detector
Veranstaltungstitel:2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
Veranstaltungsort:Buffalo, NY, USA
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:8 November 2020
Veranstaltungsende:13 November 2020
Veranstalter :IEEE
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HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R SY - Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Detektoren für optische Instrumente
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Optische Sensorsysteme > Terahertz- und Laserspektroskopie
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:04 Mai 2021 09:49
Letzte Änderung:24 Apr 2024 20:42

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