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Stimulated Terahertz Emission of Bismuth Donors in Uniaxially Strained Silicon under Optical Intracenter Excitation

Zhukavin, R. Kh. und Pavlov, Sergey und Pohl, Andreas und Abrosimov, N. V. und Riemann, H. und Redlich, B. und Hübers, Heinz-Wilhelm und Shastin, V. N. (2019) Stimulated Terahertz Emission of Bismuth Donors in Uniaxially Strained Silicon under Optical Intracenter Excitation. Semiconductors, 53, Seiten 1255-1257. Springer. doi: 10.1134/S1063782619090288. ISSN 1063-7826.

[img] PDF - Nur DLR-intern zugänglich - Verlagsversion (veröffentlichte Fassung)
316kB

Offizielle URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S1063782619090288

Kurzfassung

The results of the experimental observation of stimulated terahertz emission under optical intracenter excitation of uniaxially strained bismuth-doped silicon are presented. Pumping in the presented experiment is performed using a FELIX free-electron laser. It is shown that uniaxial strain of the silicon crystal leads to a significant change in the stimulated emission spectrum of the impurity.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/135025/
Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Stimulated Terahertz Emission of Bismuth Donors in Uniaxially Strained Silicon under Optical Intracenter Excitation
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Zhukavin, R. Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, SergeySergeij.Pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pohl, AndreasA.Pohl (at) dlr.dehttps://orcid.org/0009-0005-5091-6476NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Leibniz Institute of Crystal Growth, Berlin, GermanyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.FELIX Facility, Radboud University NijmegenNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V. N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of ScienceNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2019
Erschienen in:Semiconductors
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:53
DOI:10.1134/S1063782619090288
Seitenbereich:Seiten 1255-1257
Verlag:Springer
ISSN:1063-7826
Status:veröffentlicht
Stichwörter:frequency Tuning, Silicon, uniaxial pressure
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R SY - Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Vorhaben OptoRob (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Optische Sensorsysteme > Terahertz- und Laserspektroskopie
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:02 Jun 2020 08:44
Letzte Änderung:02 Jun 2020 08:44

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