Stimulated Terahertz Emission of Bismuth Donors in Uniaxially Strained Silicon under Optical Intracenter Excitation

Zhukavin, R. Kh. und Pavlov, Sergey und Pohl, Andreas und Abrosimov, N. V. und Riemann, H. und Redlich, B. und Hübers, Heinz-Wilhelm und Shastin, V. N. (2019) Stimulated Terahertz Emission of Bismuth Donors in Uniaxially Strained Silicon under Optical Intracenter Excitation. Semiconductors, 53, Seiten 1255-1257. Springer. doi: 10.1134/S1063782619090288. ISSN 1063-7826.

PDF - Nur DLR-intern zugänglich - Verlagsversion (veröffentlichte Fassung)
316kB

Offizielle URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S1063782619090288

Kurzfassung

The results of the experimental observation of stimulated terahertz emission under optical intracenter excitation of uniaxially strained bismuth-doped silicon are presented. Pumping in the presented experiment is performed using a FELIX free-electron laser. It is shown that uniaxial strain of the silicon crystal leads to a significant change in the stimulated emission spectrum of the impurity.

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/135025/

Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Stimulated Terahertz Emission of Bismuth Donors in Uniaxially Strained Silicon under Optical Intracenter Excitation

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Zhukavin, R. Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, Sergey	Sergeij.Pavlov (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pohl, Andreas	A.Pohl (at) dlr.de	https://orcid.org/0009-0005-5091-6476	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.	Leibniz Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.	FELIX Facility, Radboud University Nijmegen	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	Heinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V. N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Science	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2019

Erschienen in:

Semiconductors

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

In ISI Web of Science:

Band:

DOI:

10.1134/S1063782619090288

Seitenbereich:

Seiten 1255-1257

Verlag:

Springer

ISSN:

1063-7826

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

frequency Tuning, Silicon, uniaxial pressure

HGF - Forschungsbereich:

Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

HGF - Programm:

Raumfahrt

HGF - Programmthema:

Technik für Raumfahrtsysteme

DLR - Schwerpunkt:

Raumfahrt

DLR - Forschungsgebiet:

R SY - Technik für Raumfahrtsysteme

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

R - Vorhaben OptoRob (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Optische Sensorsysteme > Terahertz- und Laserspektroskopie

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

02 Jun 2020 08:44

Letzte Änderung:

02 Jun 2020 08:44

Nur für Mitarbeiter des Archivs: Kontrollseite des Eintrags