Chemical Shift and Exchange Interaction Energy of the 1s States of Magnesium Donors in Silicon. The Possibility of Stimulated Emission

Shastin, V. N. und Zhukavin, R. Kh. und Kovalevsky, K. A. und Tsyplenkov, V. V. und Rumyantsev, V. und Shengurov, D.V. und Pavlov, Sergey und Shuman, V. B. und Portsel, L. M. und Lodygin, A. N. und Astrov, Yu. A. und Abrosimov, N. V. und Klopf, J.M. und Hübers, Heinz-Wilhelm (2019) Chemical Shift and Exchange Interaction Energy of the 1s States of Magnesium Donors in Silicon. The Possibility of Stimulated Emission. Semiconductors, 53. Springer. doi: 10.1134/S1063782619090197. ISSN 1063-7826.

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Kurzfassung

Spectroscopy of valley-orbit split-off states in silicon doped by magnesium. Calculation of Relaxation rates of donor states.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Chemical Shift and Exchange Interaction Energy of the 1s States of Magnesium Donors in Silicon. The Possibility of Stimulated Emission

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Shastin, V. N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Science	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R. Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kovalevsky, K. A.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V. V.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Rumyantsev, V.	Institute for Physics of Microstructures of RAS, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shengurov, D.V.	institute for physics of microstructures, russain academy of sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, Sergey	Sergeij.Pavlov (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shuman, V. B.	Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Portsel, L. M.	Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Lodygin, A. N.	Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Astrov, Yu. A.	Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Klopf, J.M.	klopf (at) hzdr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	Heinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2019

Erschienen in:

Semiconductors

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

In ISI Web of Science:

Band:

DOI:

10.1134/S1063782619090197

Verlag:

Springer

ISSN:

1063-7826

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Photoconductivity, stimulated Raman scattering, silicon

HGF - Forschungsbereich:

Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

HGF - Programm:

Raumfahrt

HGF - Programmthema:

Technik für Raumfahrtsysteme

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Raumfahrt

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R SY - Technik für Raumfahrtsysteme

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

R - Vorhaben OptoRob (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Optische Sensorsysteme > Terahertz- und Laserspektroskopie

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

02 Jun 2020 08:44

Letzte Änderung:

02 Jun 2020 08:44

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