Influence of uniaxial stress on phonon-assisted relaxation in bismuth-doped silicon

Zhukavin, R. Kh. und Pavlov, Sergey und Stavrias, N. und Saeedi, K. und Kovalevsky, K. A. und Phillips, J. und Tsyplenkov, V. V. und Abrosimov, N. V. und Riemann, H. und Deßmann, N. und Hübers, Heinz-Wilhelm und Shastin, V. N. (2020) Influence of uniaxial stress on phonon-assisted relaxation in bismuth-doped silicon. Journal of Applied Physics, 127, 035706. American Institute of Physics (AIP). doi: 10.1063/1.5134691. ISSN 0021-8979.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Influence of uniaxial stress on phonon-assisted relaxation in bismuth-doped silicon

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Zhukavin, R. Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, Sergey	Sergeij.Pavlov (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Stavrias, N.	FELIX Facility, Radboud University Nijmegen	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Saeedi, K.	FELIX Facility, Radboud University Nijmegen	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kovalevsky, K. A.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Science	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Phillips, J.	Central Laser Facility, STFC Rutherford Appleton Laboratory, Didcot OX11 0QX, United Kingdom	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V. V.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.	Institut für Kristallzüchtung, Berlin, Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Deßmann, N.	FELIX Facility, Radboud University Nijmegen	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	Heinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V. N.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

17 Januar 2020

Erschienen in:

Journal of Applied Physics

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

In ISI Web of Science:

Band:

127

DOI:

10.1063/1.5134691

Seitenbereich:

035706

Verlag:

American Institute of Physics (AIP)

ISSN:

0021-8979

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Silicon, phonon-assisted relaxation, uniaxial deformation

HGF - Forschungsbereich:

Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

HGF - Programm:

Raumfahrt

HGF - Programmthema:

Technik für Raumfahrtsysteme

DLR - Schwerpunkt:

Raumfahrt

DLR - Forschungsgebiet:

R SY - Technik für Raumfahrtsysteme

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

R - Vorhaben OptoRob (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Optische Sensorsysteme > Terahertz- und Laserspektroskopie

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

23 Jan 2020 08:19

Letzte Änderung:

20 Okt 2023 09:35

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