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Even‐Parity Excited States in Infrared Emission, Absorption, and Raman Scattering Spectra of Shallow Donor Centers in Silicon

Pavlov, Sergey und Abrosimov, N. V. und Shuman, V. B. und Portsel, L. M. und Lodygin, A. N. und Astrov, Yu. A. und Zhukavin, R. Kh. und Shastin, V. N. und Irmscher, K. und Pohl, Andreas und Hübers, Heinz-Wilhelm (2019) Even‐Parity Excited States in Infrared Emission, Absorption, and Raman Scattering Spectra of Shallow Donor Centers in Silicon. Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics (256), Seite 1800514. Wiley. doi: 10.1002/pssb.201800514. ISSN 0370-1972.

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Offizielle URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssb.201800514


elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/127906/
Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Even‐Parity Excited States in Infrared Emission, Absorption, and Raman Scattering Spectra of Shallow Donor Centers in Silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pavlov, SergeySergeij.Pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shuman, V. B.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Portsel, L. M.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Lodygin, A. N.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Astrov, Yu. A.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R. Kh.Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V. N.Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Irmscher, K.Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pohl, AndreasA.Pohl (at) dlr.dehttps://orcid.org/0009-0005-5091-6476NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2019
Erschienen in:Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Ja
In ISI Web of Science:Ja
DOI:10.1002/pssb.201800514
Seitenbereich:Seite 1800514
Verlag:Wiley
ISSN:0370-1972
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Silicon, infrared absorption, Raman spectroscopy
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R SY - Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Vorhaben OptoRob (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Optische Sensorsysteme > Terahertz- und Laserspektroskopie
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:18 Jun 2019 12:42
Letzte Änderung:03 Nov 2023 09:10

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