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Contactless processing of SiGe-melts in EML under reduced gravity

Luo, Yuansu und Damaschke, Bernd und Schneider, Stephan und Lohöfer, Georg und Abrosimov, Nikolay und Czupalla, Matthias und Samwer, Konrad (2016) Contactless processing of SiGe-melts in EML under reduced gravity. npj Microgravity, 2, Seiten 1-9. Nature Publishing Group. doi: 10.1038/s41526-016-0007-3. ISSN 2373-8065.

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Offizielle URL: http://www.nature.com/articles/s41526-016-0007-3

Kurzfassung

The processing of semiconductors based on lectromagnetic levitation is a challenge, because this kind of materials shows a poor electrical conductivity. Here, we report the results of measurements of the thermophysical properties obtained recently from highly doped semiconductors Si1−xGex under microgravity conditions in the framework of parabola flight campaigns. due to the limited time of about 20 s of microgravity especially Ge-rich samples with low melting temperatures were investigated. The measurements were performed contactlessly by video techniques with subsequent digital image processing. Linear and volume thermal Expansion coefficients were measured hereby from image data. An anomaly of volume changes near the solidus temperature is visible. Viscosity and surface tension were determined by the oscillating drop technique using optic and electronic data. It was observed that the alloying of Si into Ge increases the surface tension of the melts. The viscosity is following an Arrhenius equation and Shows a crossover temperature which separates simple liquid at high temperatures from cooperative liquid at low temperatures.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/109777/
Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Contactless processing of SiGe-melts in EML under reduced gravity
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Luo, YuansuNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Damaschke, BerndNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Schneider, Stephanstephan.schneider (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Lohöfer, Georggeorg.lohoefer (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, Nikolayinstitute of crystal growth, 12489 berlin, germanyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Czupalla, MatthiasNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Samwer, KonradNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:Dezember 2016
Erschienen in:npj Microgravity
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Ja
Gold Open Access:Ja
In SCOPUS:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:2
DOI:10.1038/s41526-016-0007-3
Seitenbereich:Seiten 1-9
Verlag:Nature Publishing Group
ISSN:2373-8065
Status:veröffentlicht
Stichwörter:liquid SiGe semiconductors, thermophysical properties, microgravity, parabolic flight
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Forschung unter Weltraumbedingungen
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R FR - Forschung unter Weltraumbedingungen
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Vorhaben Materialforschung unter Mikro-g (alt)
Standort: Köln-Porz
Institute & Einrichtungen:Institut für Materialphysik im Weltraum
Hinterlegt von: Lohöfer, Georg
Hinterlegt am:02 Jan 2017 07:13
Letzte Änderung:17 Nov 2018 05:02

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