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Zhukavin, R.Kh. and Kovalevsky, K. A. and Orlov, M.L. and Tsyplenkov, V.V. and Hübers, Heinz-Wilhelm and Deßmann, Nils and Kozlov, D. V. and Shastin, V.N. (2016) Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon. Semiconductors, 50 (11), pp. 1458-1462. Springer. doi: 10.1134/S1063782616110270. ISSN 1063-7826.
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Official URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S1063782616110270
Abstract
Experimental data on the spontaneous emission and absorption modulation in boron-doped silicon under CO2 laser excitation depending on the uniaxial stress applied along the [001] and [011] crystallographic directions are presented. Room-temperature radiation is used as the probe radiation. Low stress (less than 0.5 kbar) is shown to reduce losses in the terahertz region by 20%. The main contribution to absorption modulation at zero and low stress is made by A+ centers. Intersubband free hole transitions additionally contribute to terahertz absorption at higher stress. These contributions can be minimized by compensation.
| Item URL in elib: | https://elib.dlr.de/107659/ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| Document Type: | Article | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Title: | Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Authors: |
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| Date: | 10 May 2016 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Journal or Publication Title: | Semiconductors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Refereed publication: | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Open Access: | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gold Open Access: | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| In SCOPUS: | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| In ISI Web of Science: | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Volume: | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DOI: | 10.1134/S1063782616110270 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Page Range: | pp. 1458-1462 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Publisher: | Springer | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISSN: | 1063-7826 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Status: | Published | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Keywords: | THz, Stimulated emission, Silicon, Laser | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGF - Research field: | Aeronautics, Space and Transport | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGF - Program: | Space | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGF - Program Themes: | Space System Technology | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLR - Research area: | Raumfahrt | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLR - Program: | R SY - Space System Technology | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLR - Research theme (Project): | R - Vorhaben OptoRob (old) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Location: | Berlin-Adlershof | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Institutes and Institutions: | Institute of Optical Sensor Systems | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Deposited By: | Deßmann, Nils | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Deposited On: | 11 Nov 2016 11:48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Last Modified: | 03 Sep 2026 09:25 |
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