Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon

Zhukavin, R.Kh. und Kovalevsky, K. A. und Orlov, M.L. und Tsyplenkov, V.V. und Hübers, Heinz-Wilhelm und Deßmann, Nils und Kozlov, D. V. und Shastin, V.N. (2016) Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon. Semiconductors, 50 (11), Seiten 1458-1462. Springer. doi: 10.1134/S1063782616110270. ISSN 1063-7826.

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Offizielle URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S1063782616110270

Kurzfassung

Experimental data on the spontaneous emission and absorption modulation in boron-doped silicon under CO2 laser excitation depending on the uniaxial stress applied along the [001] and [011] crystallographic directions are presented. Room-temperature radiation is used as the probe radiation. Low stress (less than 0.5 kbar) is shown to reduce losses in the terahertz region by 20%. The main contribution to absorption modulation at zero and low stress is made by A+ centers. Intersubband free hole transitions additionally contribute to terahertz absorption at higher stress. These contributions can be minimized by compensation.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Zhukavin, R.Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kovalevsky, K. A.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Orlov, M.L.	Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V.V.	Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	Heinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Deßmann, Nils	Nils.Dessmann (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Kozlov, D. V.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

10 Mai 2016

Erschienen in:

Semiconductors

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

In ISI Web of Science:

Band:

DOI:

10.1134/S1063782616110270

Seitenbereich:

Seiten 1458-1462

Verlag:

Springer

ISSN:

1063-7826

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

THz, Stimulated emission, Silicon, Laser

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Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

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Raumfahrt

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Technik für Raumfahrtsysteme

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R - Vorhaben OptoRob (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Optische Sensorsysteme

Hinterlegt von:

Deßmann, Nils

Hinterlegt am:

11 Nov 2016 11:48

Letzte Änderung:

01 Dez 2018 19:52

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