Raman scattering at terahertz frequencies enabled by an infrared free electron laser.

Pavlov, S.G. und Deßmann, N. und Zhukavin, R.Kh. und Shastin, V.N. und Hübers, Heinz-Wilhelm und Pohl, Andreas und Redlich, B. und van der Meer, A. F. G. und Winnerl, S. und Schneider, H. und Ortega, J.-M. und Prazeres, R. und Abrosimov, Nickolay (2016) Raman scattering at terahertz frequencies enabled by an infrared free electron laser. the International Conference "Synchrotron and Free electron laser Radiation: Generation and application", 04.-07.07.2016, Novosibirsk, Russia.

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Kurzfassung

In the last decade the use of infrared free electron laser facilities enabled observation of inelastic light (Raman) scattering in THz frequency range. Raman-active intracenter donor transitions in silicon fall into the THz range and serve as outgoing resonances in electronic Stokes scattering. At photon fluxes above 1E24 photon/cm2/s donor-related Raman stimulated emission occurs in the range 4.2-6.5 THz from natural and isotopically enriched silicon crystals with various dopants while the free electron laser wavelength was varied between 18 and 41 μm (7.5-16.5 THz). Study of dynamics of the observed emission shows a transient picosecond-micropulse mode that indicates on significantly larger Raman gain realized in THz Raman silicon lasers.

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/106508/

Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Vortrag)

Titel:

Raman scattering at terahertz frequencies enabled by an infrared free electron laser.

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, S.G.	sergeij.pavlov (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Deßmann, N.	nils.dessmann (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	Heinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pohl, Andreas	a.pohl (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.	FELIX Facility, Radboud University Nijmegen	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
van der Meer, A. F. G.	FELIX Facility, Radboud University Nijmegen	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Winnerl, S.	s.winnerl (at) hzdr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Schneider, H.	FZD, Rossendorf	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Ortega, J.-M.	CLIO, Université de Paris Sud, Laboratoire de Chimie Physique, Orsay, France	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Prazeres, R.	CLIO, Université de Paris Sud, Laboratoire de Chimie Physique, Orsay, France	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, Nickolay	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2016

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Seitenbereich:

Seiten 6-7

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

FEL, Raman, THz

Veranstaltungstitel:

the International Conference "Synchrotron and Free electron laser Radiation: Generation and application"

Veranstaltungsort:

Novosibirsk, Russia

Veranstaltungsart:

internationale Konferenz

Veranstaltungsdatum:

04.-07.07.2016

Veranstalter :

Budker Institute of Nuclear Physics SB RAS

HGF - Forschungsbereich:

Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

HGF - Programm:

Raumfahrt

HGF - Programmthema:

Technik für Raumfahrtsysteme

DLR - Schwerpunkt:

Raumfahrt

DLR - Forschungsgebiet:

R SY - Technik für Raumfahrtsysteme

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

R - Vorhaben OptoRob (alt), R - Optische Technologien und Anwendungen

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Optische Sensorsysteme

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

11 Okt 2016 07:00

Letzte Änderung:

01 Dez 2018 19:52

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