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FEL-based study of intervalley elastic scattering of donor excited states in multivalley semiconductors.

Shastin, V.N. und Zhukavin, R.Kh. und Tsyplenkov, V.V. und Kovalevsky, K. A. und Hübers, Heinz-Wilhelm und Pavlov, S.G. und Deßmann, N. (2016) FEL-based study of intervalley elastic scattering of donor excited states in multivalley semiconductors. International Conference "Synchrotron and Free electron laser Radiation: Generation and application", 04.-07.07.2016, Novosibirsk, Russia.

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Kurzfassung

FEL-based optical pump-probe technique is usually applied for study of highly non-equilibrium electrons in semiconductors and in particularly for the relaxation of donor or acceptor bound excited states. Here we are focused on intervalley elastic scattering that is typical for donors in silicon crystal. As shown such process results in an additional feature in a pump-probe response that has been ignored so far in the interpretation of data obtained using FELIX and FELBE free electron lasers. On the other hand the knowledge on the elastic intervalley scattering is also important from physical point of view.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/106507/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:FEL-based study of intervalley elastic scattering of donor excited states in multivalley semiconductors.
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V.V.Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Kovalevsky, K. A.Institute for Physics and Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S.G.sergeij.pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Deßmann, N.nils.dessmann (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2016
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seiten 72-73
Status:veröffentlicht
Stichwörter:FEL, semiconductors, ultrafast processes
Veranstaltungstitel:International Conference "Synchrotron and Free electron laser Radiation: Generation and application"
Veranstaltungsort:Novosibirsk, Russia
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsdatum:04.-07.07.2016
Veranstalter :Budker Institute of Nuclear Physics SB RAS
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R SY - Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Vorhaben OptoRob (alt), R - Optische Technologien und Anwendungen
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Optische Sensorsysteme
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:11 Okt 2016 07:01
Letzte Änderung:01 Dez 2018 19:52

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