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Carrier dynamics in doped Ge measured at the free electron laser facility FELBE

Deßmann, Nils und Pavlov, S.G. und Pohl, Andreas und Winnerl, S. und Abrosimov, Nickolay und Zhukavin, R.Kh. und Tsyplenkov, V.V. und Shengurov, D.V. und Shastin, V.N. und Hübers, Heinz-Wilhelm (2016) Carrier dynamics in doped Ge measured at the free electron laser facility FELBE. In: SFR 2016 Book of Abstracts, Seite 64. Budker INP. Synchrotron and Free electron laser Radiation: generation and application (SFR 2016), 2016-07-04 - 2016-07-07, Nowosibirsk, Russland.

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Kurzfassung

Cooled germanium (Ge) photoconductive detectors are one of the most sensitive detectors at terahertz (THz) frequencies. They are widely used in laboratory spectroscopy and imaging experiments. The speed of a Ge photoconductive detector is set by technical limitations such as the bias circuit, the geometry of the detector crystal and the electric field applied to the .detector. The recovery speed of the detector material is, however, fundamentally limited only by the lifetimes of the intraband relaxation of the free charge carriers within the valence or conduction band and by band-to-impurity relaxation (capture) down to the impurity ground state. Therefore, capture and intraband relaxation processes have been measured for different dopants in uncompensated and compensated n- and p-type Ge by a pump-probe technique at the free electron laser facility FELBE.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/105880/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Carrier dynamics in doped Ge measured at the free electron laser facility FELBE
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iD
Deßmann, NilsNils.Dessmann (at) dlr.de
Pavlov, S.G.sergeij.pavlov (at) dlr.de
Pohl, Andreasa.pohl (at) dlr.dehttps://orcid.org/0009-0005-5091-6476
Winnerl, S.s.winnerl (at) hzdr.de
Abrosimov, NickolayLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Tsyplenkov, V.V.Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of Sciences
Shengurov, D.V.Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of Sciences
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.de
Datum:6 Juli 2016
Erschienen in:SFR 2016 Book of Abstracts
Referierte Publikation:Nein
Open Access:Ja
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seite 64
Verlag:Budker INP
Status:veröffentlicht
Stichwörter:THz, Free electron laser, Pump Probe, Germanium, Dynamics
Veranstaltungstitel:Synchrotron and Free electron laser Radiation: generation and application (SFR 2016)
Veranstaltungsort:Nowosibirsk, Russland
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:4 Juli 2016
Veranstaltungsende:7 Juli 2016
Veranstalter :Budker INP
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Erdbeobachtung
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R EO - Erdbeobachtung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Optische Technologien und Anwendungen, R - Vorhaben OptoRob (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Optische Sensorsysteme
Hinterlegt von: Deßmann, Nils
Hinterlegt am:05 Sep 2016 08:11
Letzte Änderung:24 Apr 2024 20:11

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